| 摘要 |
La présente invention concerne un procédé de réduction des défauts pour des substrats comprenant du silicium, en particulier formés par le procédé Czochralski. Le procédé comprend un premier traitement thermique dans une atmosphère sensiblement non oxydante et un deuxième traitement thermique dans une atmosphère oxydante. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un substrat de silicium sur isolant obtenu par une technique de transfert de couche comprenant en outre ledit procédé de réduction des défauts. |
