贴合半导体晶圆之制造方法

摘要

【课题】为了防止在制造贴合半导体晶圆时之晶圆周边部之孔洞的产生。又，为了减少在接着热处理时之晶圆内部的重金属污染。【解决方法】藉由使得自完成基底晶圆１与活性晶圆２之接着步骤至进行接着热处理步骤为止的经过时间形成１小时以内，或在自接着步骤后至进行接着热处理步骤为止之间至少经 80℃以上的烘烤 30分以上，或经 100℃以上的烘烤５分以上，以防止晶圆周边部之孔洞的产生。又，藉由在自接着步骤后至进行接着热处理步骤为止之间先经100℃以上的烘烤 5 分以上，然后再藉由使用酸性溶液之洗净以除去附着于晶圆表面的重金属杂质，即可减少重金属元素之扩散入晶圆内部。

主权项

1.一种半导体晶圆之制造方法,其为具有使用接着治具以接着2枚经镜面研磨的半导体晶圆之接着步骤、及随后之施加接着热处理以完成贴合之接着热处理步骤之晶圆的制造方法;其特征在于,自接着步骤后至进行接着热处理步骤为止的经过时间为1小时以内。2.一种半导体晶圆之制造方法,其为具有使用接着治具以接着2枚经镜面研磨的半导体晶圆之接着步骤、及随后之施加接着热处理以完成贴合之接着热处理步骤之晶圆的制造方法;其特征在于,在自接着步骤后至进行接着热处理步骤为止间至少经80℃以上之烘烤30分以上;或经100℃以上之烘烤5分以上。3.一种贴合半导体晶圆之制造方法,其为具有使用接着治具以接着2枚经镜面研磨的半导体晶圆1.2之接着步骤、及随后之施加接着热处理以完成贴合之接着热处理步骤之晶圆的制造方法;其特征在于,在自接着步骤后至进行接着热处理步骤为止间先经100℃以上之烘烤5分以上,之后再使用酸系溶液以进行洗净。图示简单说明:第一图系显示本发明的贴合半导体晶圆的第1实验例之制造步骤图。第二图系用来说明第1实验例中接着步骤后的经过时间与所产生之孔洞的数目间之关系。第三图系用来说明第2实验例中状况1之烘烤处理后的经过时间与所产生之孔洞数目间之关系。第四图系用来说明第2实验例中状况2之烘烤处理后的经过时间与所产生之孔洞数目间之关系。第五图系用来说明第2实验例中状况3之烘烤处理后的经过时间与所产生之孔洞数目间之关系。第六图系用来说明第2实验例中状况4之烘烤处理后的经过时间与所产生之孔洞数目间之关系。第七图系显示本发明的贴合半导体晶圆的第2实验例之制造步骤图。第八图系显示第3实验例中之经氢氟酸洗净后之附着于晶圆表面的杂质量。第九图系用来说明第3实验例中是否在接着热处理前进行使用氢氟酸之洗净与晶圆中之Fe--B浓度间之关系。第十图系显示本发明的贴合半导体晶圆的第3实验例之制造步骤图。第十一图系用来说明孔洞的产生之图形。