| 主权项 |
1.一种自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,系包含下列步骤:(a)形成一介电层于基板的表面;(b)形成自旋涂布玻璃膜于所述介电层表面,并进行热处理使所述自旋涂布玻璃膜固化;(c)利用两阶段方式除去所述自旋涂布玻璃膜,第一阶段系利用乾蚀刻方式,而第二阶段系利用湿蚀刻方式;(d)重复步骤(b),将所述自旋涂布玻璃膜重新加工。2.如申请专利范围第1项之自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述基板是选自矽和砷化镓(GaAs)半导体晶圆之一。3.如申请专利范围第1项之自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述介电层是选自硼磷搀杂玻璃膜(BPSG)、利用电浆增强式化学气相沉积法(PECVD)形成之四乙氧基矽烷(PE-TEOS)、二氧化矽之一。4.如申请专利范围第1项之自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述自旋涂布玻璃膜是矽酸盐(silicate)和矽氧烷(siloxane)之一。5.如申请专利范围第1项之自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述乾蚀刻是利用氧气电浆。6.如申请专利范围第5项之自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述氧气电浆的反应功率介于700到900瓦之间。7.如申请专利范围第5项之自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述氧气电浆的氧气流量系介于800到1200sccm之间。8.如申请专利范围第1项之自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述湿蚀刻是利用氢氟酸溶液。9.如申请专利范围第8项之自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述氢氟酸的浓度系大于1%。10.一种自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,系包含下列步骤:(a)形成一介电层于基板的表面;(b)形成自旋涂布玻璃膜于所述介电层表面,并进行热处理使所述自旋涂布玻璃膜固化;(c)利用两阶段方式除去所述自旋涂布玻璃膜,第一阶段系在臭氧环境中利用紫外光照射,第二阶段系利用湿蚀刻方式;(d)重复步骤(b),将所述自旋涂布玻璃膜重新加工。11.如申请专利范围第10项之自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述基板是选自矽和砷化镓(GaAs)半导体晶圆之一。12.如申请专利范围第10项之自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述介电层是选自硼磷搀杂玻璃膜(BPSG)、利用电浆增强式化学气相沉积法(PECVD)形成之四乙氧基矽烷(PE-TEOS)、二氧化矽之一。13.如申请专利范围第10项之自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述自旋涂布玻璃膜是矽酸盐和矽氧烷之一。14.如申请专利范围第10项之自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述臭氧的流量系介于12到24SLM之间。15.如申请专利范围第10项之自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述紫外光照射系在温度范围200℃到300℃之间进行4到5分钟。16.如申请专利范围第10项之自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述湿蚀刻是利用氢氟酸溶液。17.如申请专利范围第16项之自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述氢氟酸的浓度系大于1%。18.一种积体电路自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,系包含下列步骤:(a)形成一介电层于含有电性元件之半导体基板表面;(b)形成自旋涂布玻璃膜于所述介电层表面,并进行热处理使所述自旋涂布玻璃膜固化;(c)利用两阶段方式除去所述自旋涂布玻璃膜,第一阶段系利用乾蚀刻方式,而第二阶段系利用湿蚀刻方式;(d)重复步骤(b),将所述自旋涂布玻璃膜重新加工。19.如申请专利范围第18项之积体电路自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述介电层是选自硼磷搀杂玻璃膜(BPSG)、利用电浆增强式化学气相沉积法(PECVD)形成之四乙氧基矽烷(PE-TEOS)、二氧化矽之一。20.如申请专利范围第18项之积体电路自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述自旋涂布玻璃膜是矽酸盐和矽氧烷之一。21.如申请专利范围第18项之积体电路自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述乾蚀刻是利用氧气电浆。22.如申请专利范围第21项之积体电路自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述氧气电浆的反应功率介于700到900瓦之间。23.如申请专利范围第21项之积体电路自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述氧气电浆的氧气流量系介于800到1200sccm之间。24.如申请专利范围第18项之积体电路自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述湿蚀刻是利用氢氟酸溶液。25.如申请专利范围第24项之积体电路自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述氢氟酸的浓度系大于1%。26.一种积体电路自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,系包含下列步骤:(a)形成一介电层于含有电性元件之半导体基板表面;(b)形成自旋涂布玻璃膜于所述介电层表面,并进行热处理使所述自旋涂布玻璃膜固化;(c)利用两阶段方式除去所述自旋涂布玻璃膜,第一阶段系在臭氧环境中利用紫外光照射,而第二阶段系利用湿蚀刻方式;(d)重复步骤(b),将所述自旋涂布玻璃膜重新加工。27.如申请专利范围第26项之积体电路自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述介电层是选自硼磷搀杂玻璃膜(BPSG)、利用电浆增强式化学气相沉积法(PECVD)形成之四乙氧基矽烷(PE-TEOS)、二氧化矽之一。28.如申请专利范围第26项之积体电路自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述自旋涂布玻璃膜是矽酸盐和矽氧烷之一。29.如申请专利范围第26项之积体电路自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述臭氧的流量系介于12到24SLM之间。30.如申请专利范围第26项之积体电路自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述紫外光照射系在温度范围200℃到300℃之间进行4到5分钟。31.如申请专利范围第26项之积体电路自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述湿蚀刻是利用氢氟酸溶液。32.如申请专利范围第31项之积体电路自旋涂布玻璃膜重新加工的方法,其中所述氢氟酸的浓度系大于1%。图示简单说明:第一图为习知技艺形成厚度不均的自旋涂布玻璃膜于晶圆表面后之示意图。第二图为本发明实施例的制程剖面示意图。 |
