| 主权项 |
1.一种光电转换器,其中其上二维安装光电转换装置的多个基底接在一起,使得光电转换装置在一平面相邻2.如申请专利范围第1项的光电转换器,其中光电转换装置部沿着多个基底的一侧,其上多个光电转换装置设在一平面,接到光电转换部的电路部沿着另一侧,多个基底接在一起,使得光电转换装置部在一平面相邻而无间隙。3.如申请专利范围第2项的光电转换器,其中多个基底各包含接触基底二相邻侧的光电转换装置部和沿着其它二相邻侧且接到光电转换装置部的电路部;其中有相同结构的四个基底在一平面转动90而定位,其中基底以各垂直及水平定位的二个接在一起,使得光电转换装置部在一平面相邻而无间隙。4.如申请专利范围第1.2或3项的光电转换器,其中装在各基底上的是光电转换装置部,包含第一电极层、绝缘层、光电转换半导体层、防止第一传导载子引入的半导体层;光电转换构件,在光电转换半导体层保持进入之信号所产生的第一传导载子,在异于第一传导载子之第二传导载子导至第二电极层的方向将电场施于光电转换装置;更新构件,在第一传导载子从光电转换半导体层导至第二电极层的方向将电场施于光电转换装置;信号侦测器,在光电转换构件的光电转换,侦测存入光电转换半导体层的第一传导载子或导至第二电极层的第二传导载子。5.如申请专利范围第1至3项任一项的光电转换器,其中萤光构件置于光电转换装置上部以构成X光机。6.如申请专利范围第1项的光电转换器,其中二维安装光电转装置阵列的基底相邻,有相同结构的四个基底做为该基底且接在一起,各二个基底转动90,且垂直及水平定位。7.如申请专利范围第6项的光电转换器,其中驱动电路设在光电转换器四侧。8.如申请专利范围第7项的光电转换器,其中驱动电路是有相同结构的多个扫描电路晶片和有相同结构的多个侦测电路晶片。9.如申请专利范围第1或6项的光电转换器,其中沿着光电转换器同侧之驱动电路的扫描方向不同。10.如申请专利范围第1或6项的光电转换器,其中扫描电路和侦测电路沿着光电转换器各侧。11.如申请专利范围第1或6项的光电转换器,其中扫描电路和侦测电路由有相同结构的多个IC晶片构成。12.如申请专利范围第1或6项的光电转换器,其中装在四个基底之至少一个上的光电转换装置数目异于装在其它三个基底至少一个上的光电转换装置数目。13.如申请专利范围第1或6项的光电转换器,其中装在四个基底之至少一个上之光电转换装置阵列之平面中的形状异于装在其它三个基底之至少一个上之光电转换装置阵列的形状。14.如申请专利范围第1或6项的光电转换器,其中光电转换装置有非晶半导体受光部。15.如申请专利范围第1或6项的光电转换器,其中光电转换装置有光转换元件。16.如申请专利范围第1或6项的光电转换器,其中光转换元件是萤光构件。17.如申请专利范围第1或6项的光电转换器,其中扫描电路和侦测电路沿着光电转换器各侧。18.如申请专利范围第1或6项的光电转换器,其中多个扫描电路晶片和多个侦测电路晶片沿着光电转换器各侧。19.如申请专利范围第1项的光电转换器,其中装在基底上的是接触二相邻侧的光电转换装置阵列部和沿着其它二相邻侧且接到光电转换装置阵列部的驱动电路部;其中四个基底接在一起,各二个垂直及水平定立,使得光电转换装置阵列部在一平面相邻;其中装在四个基底之至少一个上之光电转换装置阵列之平面中的数目或形状异于装在其它三个基底之至少一个上之光电转换装置阵列之平面中的数目或形状。20.如申请专利范围第19项的光电转换器,其中驱动电路设在光电转换器四侧。21.如申请专利范围第20项的光电转换器,其中驱动电路是有相同结构的多个扫描电路晶片和有相同结构的多个侦测电路晶片。22.如申请专利范围第19项的光电转换器,其中沿着光电转换器同侧之驱动电路的扫描方向不同。23.如申请专利范围第19项的光电转换器,其中光电转换装置有非晶半导体受光部。24.如申请专利范围第19项的光电转换器,其中光电转换装置有光转换元件。25.如申请专利范围第19项的光电转换器,其中光转换元件是萤光构件。26.如申请专利范围第19项的光电转换器,其中扫描电路和侦测电路沿着光电转换器各侧。27.如申请专利范围第19项的光电转换器,其中扫描电路和侦测电路分别由有相同结构的多个IC晶片构成。28.如申请专利范围第19项的光电转换器,其中光电转换器和高能束产生器构成摄像装置。29.如申请专利范围第4项的光电转换器,其中萤光构件置于光电转换装置上部上以构成X光机。图示简单说明:第一图是有20002000个图素之传统光电转换器的平面图;第二图是有20002000个图素之另一传统光电转换器的平面图;第三图是本发明第一实施例之光电转换器整个结构的平面图;第四图是本发明一实施例之光电转换装置的剖面图;第五图是沿着第四图之线5-5所取之扫描结构的剖面图;第六图是本发明第三实施例之光电转换器的平面图;第七图是扫描结构的剖面图;第八图是解释驱动本发明之光电转换器之方法的电路图;第九图是显示第八图之运作的时序图;第十A图显示PIN感光器的层结构;第十B图显示肖特基感光器的层结构;第十C图显示标准共用驱动系统;第十一图显示薄半导体膜所构成之场效电晶体(TFT)的层结构;第十二图显示TFT之闸极绝缘膜和良率的实验结果。 |
