| 主权项 |
1.一种太阳能电池,包括:(a)一片半导体基板,包括第一、二面;(b)第一群发射器区,形成在半导体基板的第一面,有小深度,有低的杂质浓度;(c)第二群发射器区,形成在半导体基板的第一面,第二群发射器区比第一群发射器区深,第二群发射器区的掺杂浓度大于第二群发射器区的掺杂浓度,第一群发射器区与第二群发射器区交错排列;(d)一个掺杂区,形成在半导体基板的第二面,以提供面场;(e)一个欧姆接触器,形成在掺杂区上;与(f)第一种图案欧姆电极层,包括形成在第二群发射器区上的铝。2.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中半导体基板包括n型掺杂的矽。3.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中第一群发射器是用P + -型掺杂材料。4.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中掺杂材料是硼。5.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中第二群发射器区是从P + -型掺杂材料形成。6.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中掺杂材料是铝。7.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中掺杂材料是铝与矽的合金。8.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中掺杂区是用n+ 型掺杂材料。9.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,其中掺杂材料是磷。10.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中第一群发射器区的深度不大于0.2微米。11.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中第一群发射器区的掺杂浓度不大于51018公分-3。12.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中第二群发射器区的最小深度是2微米。13.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中第二群发射器区的掺杂浓度不大于11019公分-3。14.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中欧姆接触器是由银形成。15.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,还包括被做成第二图案的可焊接的欧姆材料,形成在第一图案欧姆电极层上。16.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中可焊接的材料是银。17.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,还包括第一钝化层,形成在半导体基板的第一面,介于被排成第一种图案的欧姆接触器层之间。18.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,还包括抗反射层,形成在钝化层上。19.一种制造有自行对齐的区部深扩散的发射器的方法,包括下列步骤:(a)提供一片半导体基板,包括第一、二面;(b)在半导体基板的第一面形成浅的第一群发射器区,第一群发射器区属于第一导电性型;(c)在半导体基板的第二面形成浅的场区,场区属于第二导电性型;(d)在第半导体基板的第一面提供一种含铝的图案层;(e)加热于半导体基板,以在图案层下形成许多有第一导电性型的深发射器区;(f)在半导体基板的第二面提供一个欧姆接触器。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中浅发射器是用p+型掺杂材料。21.如申请专利范围第19项所述之方法,其中浅场区是用n+型掺杂材料形成。22.如申请专利范围第19项所述之方法,还包括后述步骤:在含铝的图案层上形成浅场区。23.如申请专利范围第19项所述之方法,还包括后述步骤:在半导体基板的第一面形成钝化层,但不被图案层盖住。24.如申请专利范围第19项所述之方法,还包括后述步骤:在钝化层上形成抗反射层。25.如申请专利范围第19项所述之方法,其中步骤(b)形成的发射器区的深度不大于0.2微米。26.如申请专利范围第19项所述之方法,其中步骤(b)形成的发射器区的掺杂浓度不大于51018公分-3。27.如申请专利范围第19项所述之方法,其中步骤(e)形成的深发射器区的最小深度是2微米。28.如申请专利范围第19项所述之方法,其中步骤(e)形成的深发射器区的掺杂浓度不小于11019公分-3。29.如申请专利范围第19项所述之方法,其中步骤(d)是用纯铝来进行。30.如申请专利范围第19项所述之方法,其中步骤(d)是用铝与矽的混合物来进行。图示简单说明:第一图是本发明的较佳实施例的透视图;第二图是第一图的实施例的仰视图;第三图是第一图的实施例的放大的剖面图,显示若干连接;第四A-四F图是剖面图,显示第一图的实施例的制造。 |
