一种整流器

摘要

本发明公开了一种整流器，至少包括单级整流电路；单级整流电路包括第一飞跨电容、第二飞跨电容、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和输出电容；第一NMOS管的衬底和源极电连接至前级电路的第二输出端，且与前级电路的第一输出端绝缘；第二NMOS管的衬底和源极电连接至前级电路的第一输出端，且与前级电路的第二输出端绝缘；第一飞跨电容的第二端电连接信号源的正端，第二飞跨电容的第二端电连接信号源的负端；第一PMOS管的衬底和源极，以及第二PMOS管的衬底和源极电连接后作为单级整流电路的输出端。本发明降低了最低输入电压，提高了整流器在超低电压输入时的功率转化效率。

主权项

一种整流器，其特征在于，至少包括单级整流电路；所述单级整流电路包括第一飞跨电容、第二飞跨电容、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和输出电容；所述第一NMOS管的衬底和源极电连接至前级电路的第二输出端，且与所述前级电路的第一输出端绝缘，栅极与所述第一PMOS管的栅极电连接至所述第二飞跨电容的第一端，漏极与所述第一PMOS管的漏极电连接至所述第一飞跨电容的第一端；所述第二NMOS管的衬底和源极电连接至所述前级电路的第一输出端，且与所述前级电路的第二输出端绝缘，栅极与所述第二PMOS管的栅极电连接至所述第一飞跨电容的第一端，漏极与所述第二PMOS管的漏极电连接至所述第二飞跨电容的第一端；所述第一飞跨电容的第二端电连接信号源的正端，所述第二飞跨电容的第二端电连接所述信号源的负端；所述第一PMOS管的衬底和源极，以及所述第二PMOS管的衬底和源极电连接后作为所述单级整流电路的输出端；所述输出电容电连接至所述输出端和地之间。