| 主权项 |
1.一种晶片状电子零件,其特征为;在基体表面形成构成电子元件之电子元件层,上述电子元件层端部为形成于上述基体两侧之电极层,与在该电极层表面部以电气方式连接。2.根据申请专利范围第1项之晶片状电子零件,其中上述电子元件层为在上述基体表面上以微小间隔分开形成之复数电阻体层所构成。3.一种晶片状电子零件之制造方法,其特征为具有;在基板形成复数平行之长孔之长孔形成制程,与在该长孔内形成电极层之电极层形成制程,与在上述基板表面上及上述电极层表面部上形成连续之电子元件层之电子元件层形成制程,与切断形成上述电极层及电子元件层之基板分离为各个晶片状电子零件之制程所构成。4.根据申请专利范围第3项之晶片状电子零件之制造方法,其中于上述电极层形成制程,在上述长孔内印刷导电性油墨。5.根据申请专利范围第3项之晶片状电子零件之制造方法,其中于上述电极层形成制程,从上述基板表面到长孔内壁使用喷镀形成电极材料膜之后,去除上述基板上之电极材料膜。6.根据申请专利范围第5项之晶片状电子零件之制造方法,其中于上述电极层形成制程,以重叠复数基板之状态下进行上述喷镀。图式简单说明:第一图系表示本发明之晶片状电子零件之第1实施例之斜视图。第二图系表示使用第一图之晶片状电子零件构成突波吸波器之例之斜视图。第三图系表示本发明之晶片状电子零件之第1制造例之长孔形成制程,(a)系斜视图,(b)系沿A-A'线之剖面图。第四图系表示本发明之晶片状电子零件之第1制造例之电极层形成制程之剖面图。第五图系表示本发明之晶片状电子零件之第1制造例之电子元件层形成制程,(a)系斜视图,(b)系沿B-B'线之剖面图。第六图系表示本发明之晶片状电子零件之第1制造例之切断制程之斜视图。第七图系本发明之晶片状电子零件之第2制造例之电极层形成制程依制程顺序表示之剖面图。第八图系本发明之晶片状电子零件之第2制造例之电极层形成制程之其他例依制程顺序表示之剖面图。第九图系表示本发明之晶片状电子零件之第3制造例之电极层形成制程之剖面图。第十图系表示使用先行技术之晶片状电子零件之突波吸波器之剖面图。第十一图系欲制造第十图之晶片状电子零件之方法依制程顺序表示之斜视图。第十二图系将迄今所提案之晶片状电子零件之制造方法依制程顺序表示之剖面图。 |
