| 发明名称 |
Static semiconductor memory architecture |
| 摘要 |
The second transistor area is extended so as to increase the word conductor path in one direction.
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| 申请公布号 |
FR2777686(A1) |
申请公布日期 |
1999.10.22 |
| 申请号 |
FR19980015522 |
申请日期 |
1998.12.09 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
KURIYAMA HIROTADA;MAEDA SHIGENOBU |
| 分类号 |
H01L21/8244;H01L27/11;H01L27/12;(IPC1-7):G11C11/407 |
主分类号 |
H01L21/8244 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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