半集总式带通滤波器

摘要

本发明之带通(band pass)滤波器适合应用于多层陶瓷电路(multi-layer ceramic circuit)架构下。这个滤波器为一个半集总式(semi-lumped)滤波器，其由集总式(lumped)之电容及分布式(distributed)之传输线(transmission line)构成。而所使用之共振器乃由接地之传输线节(用以等效电感)及大数值电容所组成。所以共振器之尺寸远小于1/4操作波长，具有缩小化之特点。另外，这个带通滤波器的衰减极点(attenuation pole)可以非常靠近通频带低频侧边缘，这种特性可以造成通频带旁尖锐之抑止效果，所以这类滤波器非常适合用于可携式通讯设备，缩小化应用及双工器(duplexer)中之接收端滤波器。

主权项

1.一半集总式带通滤波器,系包含:数组多样集总式型电容组;数节不具相互间电磁耦合之传输线,而前述传输线可为带状线亦可为微带线;以及数个多样的半集总式共振器,其由前述传输线节被接地并与前述型电容组构成滤波器中之共振器用以产生抑止带的衰减极点。2.如申请专利范围第1项所述之半集总式带通滤波器,其中所述之传输线节可为直线、转弯或折曲之微带线及带状线。3.如申请专利范围第1项所述之半集总式带通滤波器,其中所述之传输线可为多层陶瓷架构下之直线,转弯或折曲之之多层化传输线。4.如申请专利范围第1项所述之半集总式带通滤波器,其中所述之不包含在共振器中之传输线节,长度可为零,视实际电路布局及性能规格要求而定。5.如申请专利范围第1项所述之半集总式带通滤波器,其中所述之共振器中之传输线除了信号线本身外可以包含至少一个金属边板或金属边墙,而金属边板则利用穿孔接地或接至接地金属边墙,而上述传输线之接地则藉由连接至上述边墙或边板达成。6.如申请专利范围第1项所述之半集总式带通滤波器,其中所述之共振器中之传输线间利用一条接地的传输线作电磁耦合之绝缘,此传输线可为微带线及带状线。7.如申请专利范围第1项所述之半集总式带通滤波器,其中所述之臂数增加并用传输线节,并将臂与臂作连接,以供多阶之设计。8.如申请专利范围第1项所述之半集总式带通滤波器,其中所述之滤波器整合于射频电路模组中。图式简单说明:第一图,为本发明之半集总式带通滤波器之具体形式的等效电路图示。第二图,为本发明之半集总式带通滤波器之特性。第三图,为本发明中以平行耦合微带线来实现型电容组。第四图,为本发明中以微带线来实现交叉指状式型电容组。第五图,为本发明中以平行耦合带状线来实现型电容组。第六图,为本发明中以带状线来实现交叉指状式型电容组。第七图A及第七图B为金属+绝缘层+金属之平行板式型电容组之图例。第八图,为利用穿孔(via)作平行金属板等电位之图例。第九图,为型电容组之输出及输入方向可以不为平行之图例。第十图,为习知之微带线架构。第十一图,为习知之带状线架构。第十二图,为一多层化之带状线架构。第十三图,为一多层化之微带线及带状线之混成架构。第十四图,为本发明中用以调整滤波器频漂之机构。第十五图,为本发明中用以绝缘传输线电磁耦合之方式。