| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之叠层式电容结构,覆盖于一金氧半电晶体上,该金氧半电晶体包括一闸极与一源极/汲极区,该电容结构包括:(a)一中空筒状绝缘结构,该中空筒状绝缘结构具〝丰〞字型的剖面,且该中空筒状绝缘结构之中空处暴露出该金氧半电晶体之该源极/汲极区;(b)一下电极,该下电极覆盖在该中空筒状绝缘结构暴露出的表面上与该源极/汲极区上;以及(c)一上电极,该上电极以一介电层与该下电极隔离。2.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该中空筒状绝缘结构之中空处有一深入该源极/汲极区之一渠沟,而该下电极、该介电层与该上电极均深入该渠沟中。3.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该〝丰〞字型剖面的绝缘结构包括:复数个第一绝缘层;以及复数个第二绝缘层,该复数个第一绝缘层与该复数个第二绝缘层交互堆叠,且每个第二绝缘层凹入上下两层第一绝缘层中。4.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第一绝缘层包括二氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第一绝缘层的厚度约在3000埃到约6000埃之间。6.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第二绝缘层包括氮化物层。7.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第二绝缘层的厚度约在3000埃到约6000埃之间。8.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该下电极包括掺杂的多晶矽层。9.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该下电极的厚度约在500埃到约2000埃之间。10.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该上电极包括掺杂的多晶矽层。11.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该上电极的厚度约在1000埃到约3000埃之间。12.一种动态随机存取记忆体之叠层式电容的制造方法,至少包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,其上已形成有一金氧半电晶体,该金氧半电晶体包括一闸极与一源极/汲极区;(b)在该半导体基底上覆盖一第一绝缘层;(c)在该第一绝缘层上,交互的堆叠至少一第二绝缘层和一第三绝缘层,形成一多层的结构;(d)在该多层的结构与该第一绝缘层中形成一开口,露出该源极/汲极区;(e)蚀刻该多层的结构,定义该多层的结构之图案,以该第一绝缘层为终止层;(f)蚀刻该第二绝缘层,使得仅部分该第二绝缘层残留在该第三绝缘层之间,而在该多层的结构的侧壁上形成水平方向复数个渠沟,形成一具〝丰〞型的剖面结构;(g)在该多层的结构与该半导体基底露出的表面上形成一下电极层的结构;(h)在该下电极层上形成一介电层;以及(i)在该介电层上形成一上电极层的结构。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(b)该第一绝缘层的形成方法为化学气相沈积法。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(b)该第一绝缘层包括二氧化矽层。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(c)该第二绝缘层的形成方法为化学气相沈积法。16.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(c)该第二绝缘层包括氮化物层。17.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(c)该第三绝缘层的形成方法为化学气相沈积法。18.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(c)该第三绝缘层包括二氧化矽层。19.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(d)该开口的形成方法为乾蚀刻法。20.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(f)该复数个渠沟的形成方法为湿蚀刻法,以热磷酸为蚀刻剂。21.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(g)该下电极层的形成方法为化学气相沈积法,并掺杂有离子,以增加导电度。22.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(h)该介电层系为氧化矽/氮化矽/氧化矽层,其形成方法为先加热长成一层氧化矽层,接着形成一层氮化矽层,然后进行热氧化的步骤,在该氮化矽层上形成一层氧化矽层。23.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(i)该上电极层的形成方法为化学气相沈积法,并掺杂有离子,以增加导电度。24.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(i)更包括蚀刻该下电极层、该介电层与该上电极层,以定义该电容结构的图案。25.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(d)更包括:蚀刻该源极/汲极区,形成一第一渠沟,而该下电极、该介电质与该上电极均深入该渠沟中。26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中形成该下电极后,会在该第一渠沟上进行一回火步骤,使得离子被活化而在该第一渠沟底部产生扩散区,该扩散区可以连接该源极/汲极区,使其不会因该渠沟而被分割。图式简单说明:第一图系绘示一种动态随机存取记忆体记忆胞的电路示意图;第二图至第四图分别绘示的为习知数种动态随机存取记忆体叠层式电容结构之剖面示意图;第五图A到第五图G绘示的是根据本发明之一较佳实施例,一种动态随机存取记忆体叠层式电容之制造步骤的剖面示意图;以及第六图A到第六图G绘示的是根据本发明之另一较佳实施例,一种动态随机存取记忆体电容之制造步骤的剖面示意图。 |
