Integrated circuit device and method of manufacturing the same

摘要

집적회로 소자는 활성 영역을 가지는 반도체 기판과, 원자량 16 이상의 칼코겐 원소로 도핑된 하부 유전막을 포함하는 인터페이스막과, 게이트 유전막과, 게이트 전극을 포함한다. 집적회로 소자를 제조하기 위하여, 반도체 기판 상에 총 두께 중 일부 두께 부분이 원자량 16 이상의 칼코겐 원소로 도핑된 인터페이스막을 형성한다. 인터페이스막 위에 게이트 유전막을 형성한다. 게이트 유전막 상에 게이트 전극을 형성한다.