| 主权项 |
1.一种改善接触区阻値之方法,该方法至少包含以下步骤:提供一基材,该基材上包含已形成之复数个电晶体;形成并定义负载线于该基材上,该负载线之一部分系用以做为电阻之用,该负载线之另一部分并做为连线之用;形成并定义一光阻层于该负载线上,以定义该负载线之连线区域;进行第一次离子植入,以植入离子至该负载线之该连线区域内;及进行第二次离子植入,以植入离子至该连线区域与该基材之接触界面内及该连线区域与一闸极线之接触界面内。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之复数个电晶体系用形成静态随机存取记忆体。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之负载线系由半导体材质构成。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之负载线系由矽材质构成。5.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之负载线之厚度约为450埃至650埃之间。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之闸极线至少包含一多晶矽层,及一矽化钨层于该多晶矽层之上。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一次离子植入所植入之离子为磷。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之第一次离子植入,植入之能量约为30 KeV至40 KeV之间,剂量约为2E15 atoms/cm2至6E15 atoms/cm2之间。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二次离子植入所植入之离子为磷。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之第二次离子植入,植入之能量约为40 KeV至60 KeV之间,剂量约为2E15 atoms/cm2至6E15 atoms/cm2之间。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之该连线区域与该基材之接触界面处为电晶体之源极或汲极。12.一种改善接触区阻値之方法,该方法至少包含以下步骤:提供一基材,该基材上包含已形成之复数个电晶体;形成并定义负载线于该基材上,该负载线之一部分系用以做为电阻之用,该负载线之另一部分并做为连线之用,该负载线系由沈积多晶矽而形成;形成并定义一光阻层于该负载线上,以定义该负载线之连线区域;进行第一次离子植入,以植入磷离子至该负载线之该连线区域内,植入之能量约为30 KeV至40 KeV之间,剂量约为2E15 atoms/cm2至6E15 atoms/cm2之间;及进行第二次离子植入,以植入磷离子至该连线区域与该基材之接触界面内及该连线区域与一闸极线之接触界面内,植入之能量约为40 KeV至60 KeV之间,剂量约为2E15 atoms/cm2至6E15 atoms/cm2之间。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之复数个电晶体系用形成静态随机存取记忆体。14.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之负载线之厚度约为450埃至650埃之间。15.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之闸极线至少包含一多晶矽层,及一矽化钨层于该多晶矽层之上。16.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之该连线区域与该基材之接触界面处为电晶体之源极或汲极。图式简单说明:第一图显示一个静态随机存取记忆体单元之等效电路的示意图。第二图显示本发明中于负载线之连接区域进行第一次离子植入的截面示意图。第三图显示本发明中于负载线之连接区域进行第二离子植入的截面示意图。 |
