| 主权项 |
1.一种形成双重金属镶嵌结构之方法,该结构包括在一基底上形成一接触窗开口与一内连线;该方法包括下列步骤:形成一绝缘层于该基底上;形成一氮化矽层于该绝缘层上;形成一罩幕氧化层于该氮化矽层上;进行微影与蚀刻步骤,依序除去相应于该接触窗开口位置上之部分该绝缘层、该氮化矽层以及该罩幕氧化层;进行微影与蚀刻步骤,依序除去相对应于该内连线位置上之部分该氮化矽层以及该罩幕氧化层;以及进行一再热流程序。2.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括在该基底与该绝缘层间形成一衬氧化层之步骤。3.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括使用化学机械研磨法研磨该绝缘层之步骤。4.如申请专利范围第1项所述之方法,该氮化矽层为Si3N4。5.如申请专利范围第1项所述之方法,该绝缘层为硼磷矽玻璃。6.如申请专利范围第1项所述之方法,该绝缘层为磷矽玻璃。7.如申请专利范围第1项所述之方法,该罩幕氧化层为二氧化矽。8.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括填入一金属阻障层及一导电材料至该双重金属镶嵌结构之步骤。9.如申请专利范围第1项所述之方法,该再热流步骤是使用快速热制程法,操作温度约为950至1100℃,热处理时间约为10至30秒。10.如申请专利范围第1项所述之方法,该再热流步骤是以常压化学气相沉积法进行,操作温度约为800至900℃,热处理时间约为5至30分钟。11.一种在一基底上形成一接触窗开口与一内连线结构之方法,该方法包括下列步骤:形成一绝缘层于该基底上;形成一氮化矽层于该绝缘层上;形成一罩幕氧化层于该氮化矽层上;进行微影与蚀刻步骤,依序除去相对应于该接触窗开口位置上之部分该绝缘层、该氮化矽层以及该罩幕氧化层,形成该接触窗开口;进行微影与蚀刻步骤,依序除去相对应于该内连线位置上之部分该氮化矽层以及该罩幕氧化层,形成该内连线开口;进行一再热流程序,使该接触窗开口之边角变得较圆滑;以及填入一金属阻障层及一导电材料至该内连线开口与该接触窗开口。12.如申请专利范围第11项所述之方法,更包括在该基底与该绝缘层间形成一衬氧化层之步骤。13.如申请专利范围第11项所述之方法,更包括使用化学机械研磨法研磨该绝层之步骤。14.如申请专利范围第11项所述之方法,该氮化矽层为Si3N4。15.如申请专利范围第11项所述之方法,该绝缘层为硼磷矽玻璃。16.如申请专利范围第11项所述之方法,该绝缘层为磷矽玻璃。17.如申请专利范围第11项所述之方法,该罩幕氧化层为二氧化矽。18.如申请专利范围第11项所述之方法,该再热流步骤是使用快速热制程法,操作温度约为950至1100℃,热处理时间约为10至30秒。19.如申请专利范围第11项所述之方法,该再热流步骤是以常压化学气相沉积法进行,操作温度约为800至900℃,热处理时间约为5至30分钟。图式简单说明:第一图至第四图是依照本发明一较佳实施例的一种双重金属镶嵌接触窗开口与内连线之形成流程剖面图。 |
