发明名称 Protective circuit for insulated gate metal oxide semiconductor fieldeffect device
摘要
申请公布号 US3395290(A) 申请公布日期 1968.07.30
申请号 US19650494134 申请日期 1965.10.08
申请人 GENERAL MICRO-ELECTRONICS INC. 发明人 FARINA DONALD E.;BORROR DANIEL R.
分类号 H01L27/02;H03F1/52;H03K17/0812 主分类号 H01L27/02
代理机构 代理人
主权项
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