减少闸层氧化物损失之复晶矽表层清洁方法

摘要

本发明系关于一种减少闸层氧化物损失之复晶矽表层清洁方法，尤指一种用以清洁复晶矽表层聚合物之清洁方法，为在复晶矽定义完成及去除覆盖之光阻材料后，以l:5:10体积比之氨水/双氧水/水之混合清洁溶液进行，可达到低闸层损耗(约仅在10厚度损失)者。

主权项

1.一种减少闸层氧化物损失之复晶矽表层清洁方法,主要为在经定义形成复晶矽闸极及去除覆盖在上方之光阻层后,以混合比例为1:5:10体积比之氨水、双氧水及纯水之混合溶液,在加热至50℃之状态下,以去除复晶矽闸极表层之聚合物,并兼具降低对闸层氧化物之厚度损耗者。2.如申请专利范围第1项所述之减少闸层氧化物损失之复晶矽表层清洁方法,其中该混合溶液对闸层氧化物之厚度变化为约在10者。图式简单说明:第一图A-第一图D:系定义形成元件复晶矽闸极之制程剖面示意图。