| 主权项 |
1.一种系统化浓度调整方法,应用于半导体制程中所使用之APM溶液,其中该APM溶液系为氢氧化铵(NH4OH)﹑过氧化氢(H2O2)以及水(H2O)所组成﹐该系统化浓度调整方法包含下列步骤:(a)设定一补充氢氧化铵(NH4OH)之时间间隔(timeinterval)﹐并于不进行补充过氧化氢(H2O2)之条件下,再设定该补充氢氧化铵(NH4OH)动作中之补充剂量値B(amount of spiking)以对该APM溶液进行掺料(Spiking)动作﹔(b)进行对上述进行掺料(Spiking)动作之APM溶液中各成份浓度变化之观察监看(monitor),并计算该APM溶液中氢氧化铵(NH4OH)之浓度値变化与一目标値(target)间之变异性(deviation)是否小于X%﹔(c)当步骤(b)结果为「否」,便将参数B値变化一第一固定量后再回至步骤(a)进行掺料(Spiking)动作与步骤(b)中之观察监看(monitor)动作﹔(d)当步骤(b)结果为「是」,再进行设定补充过氧化氢(H2O2)之时间间隔(time interval)以及设定该过氧化氢(H2O2)之补充剂量値A(amount of spiking)等参数﹐用以对该APM溶液进行掺料(Spiking)动作﹔(e)进行对步骤(d)中进行掺料(Spiking)动作之APM溶液中各成份浓度变化之观察监看(monitor),并计算该APM溶液中过氧化氢(H2O2)之浓度値变化与一目标値(target)之变异性(deviation)是否小于Y%﹔(f) 当步骤(e)结果为「否」,便将参数A値变化一第二固定量后再回至步骤(d)进行掺料(Spiking)动作与步骤(e)中之观察监看(monitor)动作﹔(g)当步骤(e)结果为「是」,便同时计算该APM溶液中氢氧化铵(NH4OH)及过氧化氢(H2O2)之浓度値与其各自之目标値(target)之变异性(deviation)是否分别小于X%与Y%﹔(h)当步骤(g)结果若为「否」,则回到步骤(a)再次重新进行设定与调整﹔以及(i)当步骤(g)结果为「是」﹐便结束此调整流程﹐进而完成该系统化浓度调整方法。2.如申请专利范围第1项所述之系统化浓度调整方法﹐其中于步骤(a)前更包含下列步骤:固定一APM溶液之初始浓度与初始温度﹔在不进行任何掺料(Spiking)之动作下﹐将上述APM溶液于该初始温度下静置8至24小时,以观察溶液中氢氧化铵(NH4OH)与过氧化氢(H2O2)之浓度随时间变化之情况﹔以及进而得致一APM溶液于定温下静置一段时间后,其中氢氧化铵(NH4OH)与过氧化氢(H2O2)之浓度随时间变化之曲线图﹐以能提供该系统化浓度调整方法中各参数于设定时之参考。3.如申请专利范围第1项所述之系统化浓度调整方法﹐其中于步骤(a)中所设定一补充氢氧化铵(NH4OH)之时间间隔(time interval),其値约为100至1200秒之间。4.如申请专利范围第1项所述之系统化浓度调整方法﹐其中于步骤(a)中所设定该补充氢氧化铵(NH4OH)动作中之补充剂量値B(amount of spiking),其剂量约为20c.c.至300c.c.。5.如申请专利范围第1项所述之系统化浓度调整方法﹐其中于步骤(d)中所进行设定补充过氧化氢(H2O2)之时间间隔(time interval)﹐其値约为600至6000秒之间。6.如申请专利范围第1项所述之系统化浓度调整方法﹐其中所设定该过氧化氢(H2O2)之补充剂量値A(amount ofspiking),其剂量约为10c.c.至100c.c.。7. 如申请专利范围第1项所述之系统化浓度调整方法﹐其系以「控制程式」之形态完成于APM溶液清洗机台之自动控制系统中自动运作。8.如申请专利范围第1项所述之系统化浓度调整方法﹐其步骤(c)中将参数B値变化该第一固定量之动作系为将参数B値向上递增该第一固定量。9.如申请专利范围第1项所述之系统化浓度调整方法﹐其步骤(c)中将参数B値变化该第一固定量之动作系为将参数B値向下递减该第一固定量。10.如申请专利范围第1项所述之系统化浓度调整方法﹐其步骤(f)中将参数A値变化该第二固定量之动作系为将参数A値向上递增该第二固定量。11.如申请专利范围第1项所述之系统化浓度调整方法﹐其步骤(f)中将参数A値变化该第二固定量之动作系为将参数A値向下递减该第二固定量。 |
