| 主权项 |
1. 一种半导体装置,具备有:半导体基板,于其主表面上具有沟;多晶矽膜,形成于前述沟内之前述半导体基板的表面上;CVD氧化矽膜,埋设于前述沟内且形成于前述多晶矽膜之表面上;以及元件,形成于由前述半导体基板主表面上的前述沟所包围住的活性区域上。2. 如申请专利范围第1项之半导体装置,于与活性区域之间介着沟更配设有不同的活性区域,而多晶矽膜系围住前述活性区域及前述不同活性区域之各个,且互相独立者。3. 如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,于多晶矽膜和CVD氧化矽膜之间具备有第一热氧化膜。4. 如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,于多晶矽膜和CVD氧化矽膜之间具备有氮化矽膜。5. 如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,在多晶矽膜之表面上具有凹凸。6. 如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,在半导体基板之主表面上所形成的元件包含有,形成于前述半导体基板之主表面上的源汲极区域;以及在前述半导体基板之主表面上介着闸绝缘膜而形成的闸极。7. 一种半导体装置之制造方法,具备有:在半导体基板之活性区域之主表面上敷设光罩而蚀刻前述半导体基板主表面,以形成围住活性区域之沟的步骤;形成用以覆盖前述沟之主表面上之多晶矽膜的步骤;将前述沟内填埋,且在全面上堆积CVD氧化矽膜的步骤;施加热处理的步骤;使前述CVD氧化矽膜表面平坦化的步骤;除去前述光罩的步骤;以及在前述半导体基板之活性区域的主表面上形成元件的步骤。8. 如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法,其具备有在形成多晶矽膜的步骤之后,蚀刻沟底部之半导体基板表面上所形成之前述多晶矽膜的步骤。9.如申请专利范围第7或8项之半导体装置之制造方法,具备有在形成多晶矽膜的步骤之后,在前述多晶矽膜之表面上形成热氧化膜的步骤。10.如申请专利范围第7或8项之半导体装置之制造方法,具备有在形成多晶矽膜的步骤之后,在前述多晶矽膜之表面上形成氮化膜的步骤。11.如申请专利范围第7或8项之半导体装置之制造方法,其中在多晶矽膜之表面上具有凹凸。12.如申请专利范围第7或8项之半导体装置之制造方法,具备有在形成多晶矽膜的步骤之后,蚀刻前述多晶矽膜之表面以形成凹凸的步骤。13.如申请专利范围第7或8项之半导体装置之制造方法,其中之形成多晶矽膜的步骤,系由形成非晶矽膜的步骤和在真空中施加热处理的步骤所组成。14.如申请专利范围第7或8项之半导体装置之制造方法,具备有:在半导体基板之主表面上依热氧化法形成闸绝缘膜的步骤;在前述闸绝缘膜之表面上形成闸极的步骤;以及在前述半导体基板之主表面上形成源汲极区域的步骤。 |
