发明名称 可重覆写入之光资讯媒体
摘要 本发明系揭示一种可重覆写入之光资讯媒体,具有包含位于两个碳化层(4,6)间之相位对换记录层(5)之堆叠(2),以及材料像是为Si、Ge、Mo、或W元素之光吸收层(7),此光吸收层提供具有慢速冷却作用的堆叠(2),结果使得这样的媒体可用于高资料率之记录。呈现出50Mbit/s之使用者资料位元率(UDBR)。
申请公布号 TW421790 申请公布日期 2001.02.11
申请号 TW088102619 申请日期 1999.02.23
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 周国富
分类号 G11B7/24 主分类号 G11B7/24
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种利用一雷射光装置来可抹除式记录之光资讯媒体,该媒体包括一负载一多层堆叠之基材,其中该堆叠包含一第一与一第二碳化层,一配置于碳化层间之相位对换元素记录层,该相位对换元素于结晶状态中可记录未结晶位元,一配置于基材与第一碳化层之第一介电层,一配置于第二碳化层以及一金属镜射层及/或一第二介电层间之光吸收层,使得在结晶状态里的记录层中雷射光被吸收的量高于非结晶状态时。2.如申请专利范围第1项之光资讯媒体,其中第二介电层是位于金属镜射层以及光吸收层之间。3.如申请专利范围第1项之光资讯媒体,其中第三介电层是位于光吸收层以及第二碳化层之间。4.如申请专利范围第1项之光资讯媒体,其中光吸收层包括从Mo、W、Pd、Pt、Co、Ni、Mn、Ta、Cr、Ti、Hf中选出的金属,或是从半导体元素PbS、Ge、InP与Si中选出。5.如申请专利范围第1项之光资讯媒体,其中光吸收层具有5到100nm的厚度。6.如申请专利范围第1项之光资讯媒体,其中碳化层之碳化物选自SiC、ZrC、TaC、TiC与WC。7.如申请专利范围第1项之光资讯媒体,其中记录层包括化合物GeSbTe。8.如申请专利范围第1项之光资讯媒体,其中记录层具有从10到35nm的厚度,较佳者为25到35nm。9.如申请专利范围第1项之光资讯媒体,其中基材至记录层的距离为70到[70+/(2n)]nm,其中为雷射光装置的波长,n相当于基材与记录层之间层的折射率。10.如申请专利范围第1项之光资讯媒体,其中记录层至金属镜射层之距离至少为20nm。11.根据申请专利范围中任一项之光资讯媒体用以作为高速记录之用途,其中该介于雷射光装置与媒体间之相对速度至少为7.2m/s。图式简单说明:第一图表示根据本发明具有I1I+PI+ AI2M构造之堆叠的光资讯媒体图解横切面。第二图表示根据本发明具有I1I+PI+ AM构造之堆叠的光资讯媒体图解横切面。第三图根据本发明具有I1I+PI+AI2构造之堆叠的光资讯媒体图解横切面。第四图根据本发明具有I1I+PI+ I3AI2M构造之堆叠的光资讯媒体图解横切面。第五图根据本发明具有I1I+PI+I2AM构造之堆叠的光资讯媒体图解横切面。第六图根据本发明具有I1I+PI+I3AI2构造之堆叠的光资讯媒体图解横切面。
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