| 主权项 |
1.一种具有复数个记忆暂存区之同步动态随机存取记忆体(SDRAM),至少包含:一记忆暂存区指定装置,用以指定所要存取之记忆暂存区;一位址指定装置,用以指定位于该所要存取之记忆暂存区中之资料的位址;一记忆暂存区改变装置,用以依据一设定之顺序,改变该记忆暂存区指定装置所指定之记忆暂存区;及一位址改变装置,用以越过一设定数目之资料,改变该位址指定装置所指定之位址。2.如申请专利范围第1项所述之SDRAM,其中上述之位址改变装置以一脉冲长度,更改一由上述之位址指定装置所指定之位址。3.如申请专利范围第1或第2项所述之SDRAM,更包含:一预先充电装置,用以在完成上述之记忆暂存区的存取后,对上述之记忆暂存区指定装置所指定之记忆暂存区充电。4.一种存取一具有复数个记忆暂存区之SDRAM的方法,至少包含步骤:指定一所要存取之记忆暂存区;指定一位于该指定要存取之记忆暂存区内之资料的位址;依据一设定之顺序存取该指定之记忆暂存区;及越过一设定数目之资料,存取位于该指定之记忆暂存区中所指定之位址的资料。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之越过一设定数目之资料的步骤,系为越过一脉冲长度之资料。6.如申请专利范围第4或第5项所述之方法,更包含步骤:在完成上述之记忆暂存区的资料存取步骤后,执行上述之记忆暂存区的预先充电。图式简单说明:第一图为一方块图,显示本发明之SDRAM的实施列之一。第二图为一示意图,显示本发明之第一图所示之SDRAM的资料存取例子。第三图(a)及第三图(b)为时序图,显示本发明之第一图所示之SDRAM的资料存取(读取)例子。第四图(a)及第四图(b)为时序图,显示本发明之第一图所示之SDRAM的资料存取(读取)之另一例子。第五图(a)及第五图(b)为时序图,显示本发明之第一图所示之SDRAM的资料存取(写入取)例子。第六图(a)及第六图(b)为时序图,显示本发明之第一图所示之SDRAM的资料存取(读取)之另一例子。第七图(a)及第七图(b)为时序围,显示一种SDRAM的资料存取摘要。第八图为时序图,显示一种SDRAM的资料存取摘要。第九图为时序图,显示存取记忆暂存区之间,位于不同横排位址之资料的例子。第十图为时序图,显示存取记忆暂存区之间,位于不同横排位址之资料的另一例子。 |
