| 主权项 |
1.一种光射出装置,包括:一用于射出光之光射出装置;及一第一引线框及一第二引线框,系用于装载该光射出装置于其上,其中:该光射出装置包含:一基板,其是光传输,该基板定义一输出表面;一于该基板上形成之半导体层,其包含一由一氮化物半导体所组成之光射出层;一第一电极,提供低于平行通过该基板光射出层之平面;及一第二电极,提供高于平行通过该基板光射出层之平面;该第一引线框包含一连接该第一电极之第一引线垫部份;该第二引线框包含一连接该第二电极之第二引线垫部份;至少该第一及第二引线框之一包含一装载该基板之晶粒垫部份;及该晶粒垫部份未真正地盖住该第一输出表面。2.如申请专利范围第1项之光射出装置,其中该光射出装置包含一反射层,其将该光射出层产生之光向着该基板反射。3.如申请专利范围第2项之光射出装置,其中该反射层系形成于该光射出层及该第二电极之间。4.如申请专利范围第2项之光射出装置,其中形成该反射层用以围绕该光射出装置。5.如申请专利范围第3项之光射出装置,其中:该半导体层包含至少一对电镀层,该光射出层系由一氮化镓型化合物半导体所组成及系形成于该电镀层之间;该反射层系一多层膜包含至少不同型之二层,其系彼此交替沉积;及该至少不同型之二层包含一由氮化物半导体组成及具有一折射率n1及一厚度为/(4.n1)(其中指示该光射出装置之发射波长)之第一层,及一由氯化物半导体组成具有一折射率n2及具有一厚度为/4.n2之第二层。6.如申请专利范围第4项之光射出装置,其中:该半导体层包含至少一对电镀层,该光射出层系由氮化镓型化合物半导体所组成及系形成于该电镀层;该第二电极具有一特性为传输具有一特定波长之光;及该反射层是一绝缘多层膜,其是在该第二电极上形成及反射具有特定波长之光。7.如申请专利范围第4项之光射出装置,其中:该半导体层包含至少一对电镀层,该光射出层系由一氮化镓型化合物半导体所组成及系形成于该电镀层之间;该第二电极具有一特性为传输具有一特定波长之光;及该反射层包含:一第一绝缘层在该第二电极上形成,该第一绝缘层反射具有特定波长之光;及一第二层在该第一层上形成,该第二层在高反射率下反射具有特定波长之光。8.一种用于装载一光射出装置之方法,包括之步骤有:在一光传输基板上形成一半导体层,该半导体层包含一光射出层;形成一低于平行通过该基板之光射出层平面之第一电极及一高于平行通过该基板之光射出层平面之第二电极;置放第一及第二引线框于与光射出装置有关之预设位置,该第一引线框包含一连接该第一电极之第一引线垫部份,该第二引线框包含一连接该第二电极之第二引线垫部份,及至少该第一及第二引线框之一包含一晶粒部份;装载该基板至该至少该第一及第二引线框之一晶粒部份;及各自电性连接该第一及第二电极至该第一及第二引线垫部份,其中该第一及第二引线垫部份分别比该第一及第二电极离该基板之位置较远。图式简单说明:第一图A及第一图B说明安装于本发明例1中之LED光源之略图;第二图系说明根据本发明例1之一氮化镓型化合物半导体光射出装置概略之剖面图;第三图A及第三图B说明安装于本发明例2中之LED光源之略图;第四图系说明根据本发明例2之一氮化镓型化合物半导体光射出装置概略之剖面图;第五图A及第五图B说明安装于本发明例3中之LED光源之略图;第六图系说明根据本发明例3之一氮化镓型化合物半导体光射出装置概略之剖面图;第七图系说明根据本发明例3之透视图引线框;第八图系说明以传统方式装载之一氮化镓型化合物半导体光射出装置概略之剖面图;以及第九图系说明以传统方式装载之一覆晶型之氮化镓型化合物半导体光射出装置概略之剖面图。 |
