| 主权项 |
1.一种DRAM电容器的制造方法,适用于形成有一MOS电晶体之一半导体基底,该MOS电晶体包括一源极/汲极区,该MOS电晶体上覆盖一绝缘层,于该绝缘层内形成一开口,该开口暴露出该源极/汲极区,该制造方法至少包括下列步骤:形成一导电层,并填满该开口,并与该源极/汲极区电性耦接;在该导电层上依序形成一第一罩幕层和一第二罩幕层,并定义之,以暴露出欲形成一岛状电容器之一下电极的部份区域;于该第一罩幕层和该第二罩幕层的侧壁,形成一间隙壁;形成一第三罩幕层,并略低于该第一罩幕层,使该间隙壁部份暴露;移除该第一罩幕层和该间隙壁;以该第二罩幕层和该第三罩幕层为一蚀刻罩幕,去除部分该导电层;定义该导电层,以形成该岛状电容器之下电极;形成一介电层覆盖该下电极;以及形成一上电极覆盖介电层,以完成该岛状电容器之制造。2.如申请专利范围第1项所述之DRAM电容器的制造方法,其中该第一罩幕层与该第二罩幕层系为不同之材质。3.如申请专利范围第1项所述之DRAM电容器的制造方法,其中该第一罩幕层与该第三罩幕层系为不同之材质。4.如申请专利范围第1项所述之DRAM电容器的制造方法,其中该第一罩幕层的材质包括氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之DRAM电容器的制造方法,其中该第二罩幕层的材质包括氧化物。6.如申请专利范围第1项所述之DRAM电容器的制造方法,其中该第三罩幕层的材质包括高密度电浆氧化物。7.如申请专利范围第1项所述之DRAM电容器的制造方法,其中形成该第三罩幕层,并略低于该第一罩幕层,使该间隙壁部份暴露之方法,更包括:于整个半导体结构表面沈积一罩幕材质;接着剥除部份该罩幕材质,以暴露出该第一罩幕层之表面:之后再继续剥除部份该罩幕材质,以形成该第三罩幕层,使该间隙壁部份暴露。8.如申请专利范围第1项所述之DRAM电容器的制造方法,其中剥除部份该罩幕材质,以暴露出该第一罩幕层之表面的方法,更包括化学机械研磨法。9.如申请专利范围第1项所述之DRAM电容器的制造方法,其中继续剥除部份该罩幕材质,以形成该第三罩幕层,使该间隙壁部份暴露的方法,更包括过度研磨。10.如申请专利范围第1项所述之DRAM电容器的制造方法,其中继续剥除部份该罩幕材质,以形成该第三罩幕层,使该间隙壁部份暴露的方法,更包括湿蚀刻制程。11.如申请专利范围第1项所述之DRAM电容器的制造方法,其中在该导电层上依序形成该第一罩幕层和该第二罩幕层之前,更包括于该导电层上形成一掺杂的半球形矽晶粒层。图式简单说明:第一图系显示一种DRAM元件之记忆单元的电路示意图;第二图A至第二图F系显示一种习知柱状电容器结合半球形矽晶粒的制造方法流程图;以及第三图A至第三图L系显示根据本发明较佳实施例之一种DRAM的自动对准岛状电容器之制造方法流程图。 |
