| 主权项 |
1.一种电浆处理方法,系将导入处理室内之至少包含氟化碳之处理气体予以电浆化,并对配置于前述处理室内之被处理体所形成之氧化矽膜层施予电浆处理,其特征在于:以间断地将氧添加至前述处理气体。2.如申请专利范围第1项之电浆处理方法,其中,前述氧系以周期性地添加至前述处理气体。3.如申请专利范围第1项之电浆处理方法,其中,前述氧之添加时间系相对性地比前述无添加氧之时间短。4.如申请专利范围第1项之电浆处理方法,其中,于前述氧化矽膜层形成连接孔,前述氧之添加量系因应前述连接孔之宽阔比的增加而增加。5.如申请专利范围第4项之电浆处理方法,其中,预先求出前述宽阔比之变化与前述电浆之成分变化的关系,并因应前述电浆之成分变化而调整前述氧的添加量。6.如申请专利范围第1项之电浆处理方法,其中,前述氧之添加系于前述电浆稳定化之后进行。7.一种电浆处理方法,系将导入处理室内之至少包含氟化碳之处理气体予以电浆化,并对配置于前述处理室内之被处理体所形成之氧化矽膜层施予电浆处理,其特征在于:对前述处理气体添加氧之同时,相对性地增减前述氧之添加量。8.如申请专利范围第7项之电浆处理方法,其中,前述氧之添加量的增减系以周期性地进行。9.如申请专利范围第7项之电浆处理方法,其中,前述氧之添加量的增加时间系相对性地比前述氧之添加量的减少时间短。10.如申请专利范围第7项之电浆处理方法,其中,于前述氧化矽膜层形成连接孔,前述氧之添加量系因应前述连接孔之宽阔比的增加而增加。11.如申请专利范围第10项之电浆处理方法,其中,预先求出前述宽阔比之变化与前述电浆之成分变化的关系,并因应前述电浆之成分变化而调整前述氧的添加量。12.如申请专利范围第7项之电浆处理方法,其中,前述氧之添加量的增减系于前述电浆稳定化之后进行。13.一种电浆处理方法,系将导入处理室内之至少包含氟化碳之处理气体予以电浆化,并对配置于前述处理室内之被处理体所形成之氧化矽膜层施予电浆处理,其特征在于:对前述处理气体添加氧之同时,前述氧之添加量系因应前述氧化矽膜层所形成之连接孔之宽阔比的增加而增加。14.如申请专利范围第13项之电浆处理方法,其中,预先求出前述宽阔比之变化与前述电浆之成分变化的关系,并因应前述电浆之成分变化而调整前述氧的添加量。15.如申请专利范围第13项之电浆处理方法,其中,前述氧之添加量系连续性地增加。16.如申请专利范围第13项之电浆处理方法,其中,前述氧之添加量系阶段性地增加。17.一种电浆处理方法,系将至少包含氟化碳之处理气体导入处理室内,分别对于在前述处理室内呈对向配置之第1电极及第2电极施加高频电力而将前述处理气体电浆化,对于前述第2电极所载置之被处理体所形成之氧化矽膜层施予电浆处理,其特征在于:施加于前述第2电极之前述高频电力的频率比施加于前述第1电极之前述高频电力的频率低;前述高频电力系间断性地施加于前述第1电极;前述氧系间断地添加至前述处理气体。18.如申请专利范围第17项之电浆处理方法,其中,前述氧系以周期性地添加至前述处理气体。19.如申请专利范围第17项之电浆处理方法,其中,于前述氧化矽膜层形成连接孔,前述氧之添加量系因应前述连接孔之宽阔比的增加而增加。20.一种电浆处理方法,系将至少包含氟化碳及氧之处理气体导入处理室内,分别对于在前述处理室内呈对向配置之第1电极及第2电极施加高频电力而将前述处理气体电浆化,对于前述第2电极所载置之被处理体所形成之氧化矽膜层施予电浆处理,其特征在于:施加于前述第2电极之前述高频电力的频率比施加于前述第1电极之前述高频电力的频率低;前述高频电力系间断性地施加于前述第1电极;增减对前述处理气体之前述氧之添加量之同时,进行前述电浆处理。21.一种电浆处理方法,系将至少包含氟化碳及氧之处理气体导入处理室内,分别对于在前述处理室内呈对向配置之第1电极及第2电极施加高频电力而将前述处理气体电浆化,对于前述第2电极所载置之被处理体所形成之氧化矽膜层施予电浆处理,其特征在于:施加于前述第2电极之前述高频电力的频率比施加于前述第1电极之前述高频电力的频率低;前述高频电力系间断性地施加于前述第1电极;增加对前述处理气体之前述氧之添加量之同时,进行前述电浆处理。22.如申请专利范围第21项之电浆处理方法,其中,于前述氧化矽膜层形成连接孔,前述氧之添加量系因应前述连接孔之宽阔比的增加而增加。图式简单说明:第一图系表示能适用本发明之蚀刻装置之概略性的断面图。第二图(a)系说明因O2之添加所造成之蚀刻中止之消解现象的第1说的概略性的说明图。第二图(b)系说明因O2之添加所造成之蚀刻中止之消解现象的第2说的概略性的说明图。第三图系说明于第一图所示之蚀刻装置所适用之O2之添加量之控制构成之概略性的说明图。第四图系说明于其他之O2之添加量之控制构成之概略性的说明图。第五图系表示能适用本发明之蚀刻装置之概略性的断面图。第六图(a)系说明蚀刻时间(连接孔之宽阔比)与蚀刻率之关系之概略性的说明图。第六图(b)系说明蚀刻时间(连接孔之宽阔比)与连接孔底部之反应生成物等之关系之概略性的说明图。第六图(c)系说明蚀刻时间(连接孔之宽阔比)与电浆成分之含有量之关系之概略性的说明图。第七图(a)系表示在第六图(a)-第六图(c)之区间(A)的连接孔形状的概略性的说明图。第七图(b)系表示在第六图(a)-第六图(c)之区间(B)的连接孔形状的概略性的说明图。第七图(c)系表示在第六图(a)-第六图(c)之区间(C)的连接孔形状的概略性的说明图。第八图系说明适用第五图所示之蚀刻装置之O2之添加量之控制构成之概略性的断面。第九图系说明其他之O2之添加量之控制构成之概略性的断面。第十图说明其他之O2之添加量之控制构成之概略性的断面。第十一图说明其他之O2之添加量之控制构成之概略性的断面。第十二图说明其他之O2之添加量之控制构成之概略性的断面。第十三图说明其他之O2之添加量之控制构成之概略性的断面。第十四图系表示能适用本发明之其他蚀刻装置之概略性的断面图。第十五图系说明于第十四图所示之蚀刻装置所适用之O2之控制构成之概略性的说明图。第十六图系说明电荷损伤之消解理由之概略性的说明图。第十七图系说明电荷损伤之消解理由之概略性的说明图。第十八图系说明其他的O2供给构成之概略性的说明图。第十九图系说明其他的O2供给构成之概略性的说明图。第二十图系说明其他的O2供给构成之概略性的说明图。第二十一图系说明其他的O2供给构成之概略性的说明图。第二十二图系说明以习知蚀刻方法发生之电子遮蔽所造成之电荷损伤之概略性的说明图。 |
