| 主权项 |
1.一种电子电路单元,其特征为:具有薄膜形成于氧化铝基板上之包括电容器和电阻及电感元件的电路元件,以及引线接合于前述氧化铝基板上之电晶体的裸晶片(切片),而前述电晶体至少具有第1电晶体,且在该第1电晶体之基极偏压用分压电阻和射极电阻中,仅予以修整射极电极来设定前述第1电晶体的电流値。2.如申请专利范围第1项之电子电路单元,其中前述电晶体具有互成串联之第1电晶体和第2电晶体,在该等第1及第2之电晶体的基极偏压用分压电阻和射极电阻中,仅予以修整第1电晶体之射极电阻来设定前述第1及第2之电晶体的电流値。3.一种电子电路单元,其特征为:具备以薄膜形成包括电容器和电阻及电感元件之电路元件于氧化铝基板上,以及以引线接合于前述氧化铝基板上的电晶体之半导体裸晶片,而前述电晶体至少具有第1电晶体,且令要施加于该第1电晶体基极之基极偏压用分压之电阻,在前述氧化铝基板上以薄膜形成相互相接近。4.如申请专利范围第3项之电子电路单元件,其中前述电晶体具有互成串联之第1电晶体和第2电晶体,并以薄膜形成该等第1及第2之电晶体的基极偏压用分压电阻成为互相接近状于前述氧化铝基板上。5.如申请专利范围第3项之电子电路单元件,其中排列配设前述基极偏压用分压电阻之至少一部分成复数列。6.如申请专利范围第4项之电子电路单元,其中排列配设前述基极偏压用分压电阻之至少一部分成复数列。图式简单说明:图1系有关本发明之实施形态例的电子电路单元斜视(立体)图。图2系显示电路结构布置之氧化铝基板的平面图。图3系氧化铝基板之背面图。图4系电路结构之说明图。图5系显示端面电极之斜视图。图6系6端面电极之剖面图。图7(A)、(B)系显示半导体裸晶片和连接区之关系的说明图。图8(A)-(J)系显示电子电路单元之制造过程的说明图。图9系其他电路结构之说明图。图10系显示其他电路结构布置之氧化铝基板的平面图。 |
