| 主权项 |
1.一种热模组,系用于将光波导路元件加热之热模组,其特征为具备有:藉通电而发热之发热电路;和在该发热电路上叠层之AlN陶磁层的陶磁发热器。2.如申请专利范围第1项之热模组,其中再具备有支持该陶磁发热器且具断热性的断热基板。3.如申请专利范围第2项之热模组,其中该断热基板系含有氧化铝,或氧化铝和矽玻璃。4.如申请专利范围第2项之热模组,其中该断热基板系含有树脂,或树脂和矽玻璃。5.如申请专利范围第2项之热模组,其中该断热基板系具有用于支持该陶磁发热器之复数的突起部,且在该突起的周围形成有空气层。6.如申请专利范围第5项之热模组,其中该空气层的厚度为0.01mm以上5mm以下。7.如申请专利范围第2项之热模组,其中该陶磁发热器和该断热基板系藉树脂而接着。8.如申请专利范围第2项之热模组,其中该陶磁发热器和该断热基板系藉螺丝固定。9.如申请专利范围第2项之热模组,其中具有推压装置,可将该陶磁发热器朝该断热基板侧推压。10.如申请专利范围第2项之热模组,其中再具备有检测该陶磁发热器之温度的温度检测元件,而该温度检测元件系接着在与载置该陶磁发热器之光波导路元件之面的相反面,该断热基板具有规定的切口部,而在该切口部内配置有与该温度检测元件连接的电极。11.如申请专利范围第10项之热模组,其中将该温度检测元件和供给予该温度检测元件电力的外部电源连接的配线系接在该陶磁发热器上。12.如申请专利范围第1项之热模组,其中在该发热电路之下层具有第2AlN陶磁层。13.如申请专利范围第1项之热模组,其中在该发热电路系以钨,钼或银钯为主成份。14.如申请专利范围第1项之热模组,其中该陶磁发热器之表面具有以矽玻璃为主成份的被覆膜。15.如申请专利范围第1项之热模组,其中该陶磁发热器之表面粗糙度Ra为0.05m以上10m以下。16.如申请专利范围第1项之热模组,其中该陶磁发热器之表面上形成有氧化物层或玻璃被覆层。17.如申请专利范围第1项之热模组,其中该陶磁发热器之表面上形成铝蒸镀层。18.如申请专利范围第1项之热模组,其中到达规定之温度以上时,在该发热电路上没电流流动。19.如申请专利范围第18项之热模组,其中该发热电路的一部份系以锡和铅的合金所形成。20.如申请专利范围第18项之热模组,其中该发热电路和连接在外部电源的端子系藉以锡和铅的合金所形成配线而连接。21.一种光波导路模组,其具备有:如申请专利范围第1-20项中任1项之热模组,和载置在该热模组的该陶磁发热器上之光波导路元件。22.如申请专利范围第21项之光波导路模组,其中在该光波导路元件与该陶磁发热器之间插入有配合构件,其与该光波导路元件之在室温的热膨胀率差为310-6/℃。23.如申请专利范围第22项之光波导路模组,其中该配合构件系由Fe-Ni合金所形成。24.如申请专利范围第22项之光波导路模组,其中该配合构件系由Cu或Cu合金所形成。25.如申请专利范围第21项之光波导路模组,其中该陶磁发热器与该光波导路元件系以树脂制的接着剂接着。26.如申请专利范围第21项之光波导路模组,其中载置该陶磁发热器之该光波导路元件之面的面积系比与该面之相对面的面积狭小。27.如申请专利范围第26项之光波导路模组,其中在该陶磁发热器的周围配置有配合构件,其与该光波导路元件之在室温的热膨胀率差为310-6/℃,又该有配合机件和该光波导路元件系接合着。28.如申请专利范围第27项之光波导路模组,其中该配合构件系由Fe-Ni合金所形成。29.如申请专利范围第27项之光波导路模组,其中该配合构件系由Cu或Cu合金所形成。30.如申请专利范围第21项之光波导路模组,其中再具备有收纳该光波导路元件及该陶磁发热器的筐体。31.如申请专利范围第30项之光波导路模组,其中具有支持该陶磁发热器且具有断热性的断热基板,而该筐体系收纳该断热基板。32.如申请专利范围第30项之光波导路模组,其中该陶磁发热器系兼为该筐体的一部份。33.如申请专利范围第30项之光波导路模组,其中该筐体系以铜钨,钴,铁,镍,氧化铝或氮化铝为主成份。34.如申请专利范围第30项之光波导路模组,其中该筐体系以树脂或矽玻璃为主成份。35.如申请专利范围第30项之光波导路模组,其中该热模组的周围具有热传导率为0.5W/mk以下之断热层。36.如申请专利范围第35项之光波导路模组,其中该断热层系空气层,其厚度为0.01mm以上5mm以下。37.如申请专利范围第30项之光波导路模组,其中该筐体的内部具有自与该光波导路元件的相对面向该光波导路元件延伸的隔墙。38.如申请专利范围第30项之光波导路模组,其中该筐体具有自该筐体的内壁面配置规定间隔的薄板。39.如申请专利范围第30项之光波导路模组,其中在光波导路元件中光纤被拑住,而该光纤和该光波导路元件间的拑住位置系在该筐体之内部。图式简单说明:第1图系表示第1实施形态的热模组及光波导路模组之斜视图。第2图系表示第1实施形态的光波导路模组之侧视图。第3图系表示第1实施形态的陶磁发热器之内部平面图。第4图系表示第3图所示之陶磁发热器之IV-IV方向的剖面图。第5图系表示第1实施形态的热模组之平面图。第6图系表示第2实施形态之光波导路模组之侧视图。第7图系表示第2实施形态之热模组之平面图。第8图系表示第2实施形态之陶磁发热器之剖面图。第9图系表示第3实施形态之光波导路模组之侧视图。第10图系表示第4实施形态之光波导路模组之剖面图。第11图系表示第4实施形态之断热基板之切口部近傍的放大斜视图。第12图系表示第5实施形态之光波导路模组之侧视图。第13图系表示第6实施形态之光波导路模组之斜视图。第14图系表示第6实施形态之光波导路模组之侧视图。第15图系表示第7实施形态之光波导路模组之斜视图。第16图系表示第7实施形态之光波导路模组之侧视图。第17图系表示第8实施形态之光波导路模组之斜视图。第18图系表示第8实施形态之光波导路模组之侧视图。第19图系表示第9实施形态之光波导路模组之侧视图。第20图系表示第10实施形态之光波导路模组之侧视图。第21图系表示第11实施形态之光波导路模组之特征部份的斜视图。第22图系表示以往之光波导路模组之简略斜视图。第23图系表示以往之光波导路模组之简略斜视图。 |
