膜形成方法及膜形成装置

摘要

本发明系一种膜形成方法，在基板上用以形成涂布液之膜，具有：在基板上之中心将被供给之涂布液，藉由使基板旋转使扩散之制程；及使基板旋转之状态下，对被扩散于基板上之前述涂布液用以供给涂布液之溶剂蒸气，并用以薄膜化被形成于基板上之涂布液之膜的制程。因此，使涂布液被扩散于基板上将被形成后之涂布液之膜藉由维持于低粘度可进行薄膜化。也可抑制涂布液之必要量。又在涂布膜上为了用以供给溶剂蒸气，藉由用以控制该溶剂蒸气之供给量或其供给位置，达成涂布液之膜的均匀性，或也可用以控制涂布液之膜的厚度。

主权项

1.一种膜形成方法,系在基板上用以形成涂布液之膜,具有:在基板上之中心将被供给之涂布液,藉由使前述基板旋转使扩散之制程;及使前述基板旋转之状态下,在前述基板上被扩散之前述涂布液用以供给该涂布液之溶剂蒸气,并用以薄膜化被形成于前述基板上之涂布液之膜的制程。2.如申请专利范围第1项所记载之膜形成方法,其中前述溶剂蒸气之供给,系对基板全面能同时进行用以供给溶剂蒸气。3.如申请专利范围第1项所记载之膜形成方法,其中涂布液系保护液。4.一种膜形成方法,系在基板上用以形成涂布液之膜,具有:在基板上之中心将被供给之涂布液,藉由使前述基板旋使扩散之制程;在前述涂布液之供给前用以供给前述涂布液之溶剂蒸气到前述基板上之制程;之后,用以供给涂布液到前述基板,并将该被供给后之涂布液藉由前述基板之第1旋转速度之旋转使扩散之制程;之后,在比前述第1旋转速度更快的第2旋转速度使前述基板旋转并使前述涂布液扩散于基板全面之制程;及之后,在前述基板之全面用以供给前述涂布液之溶剂蒸气后之状态下,将前述基板在比第2旋转速度更慢的第3旋转速度使旋转,用以薄膜化被扩散于前述基板上的涂布液之膜的制程。5.如申请专利范围第4项所记载之膜形成方法,其中在对基板全面用以供给溶剂蒸气时,系对基板全面能同时进行用以供给溶剂蒸气。6.如申请专利范围第4项所记载之膜形成方法,其中对前述基板全面供给前述溶剂蒸气,系将前述基板以第2速度使旋转并使前述涂布液扩散于基板全面之制程中也可进行。7.如申请专利范围第4项所记载之膜形成方法,其中对前述基板全面供给前述溶剂蒸气,系将前述基板上藉由可移动之溶剂蒸气吐出喷嘴进行。8.如申请专利范围第4项所记载之膜形成方法,其中在前述涂布液之供给前的溶剂蒸气之供给,系至少被供给于前述基板之周边部。9.如申请专利范围第4项所记载之膜形成方法,其中前述涂布液系保护液。10.一种膜形成方法,系在基板上用以形成涂布液之膜,具有:在基板上之中心将被供给之涂布液,藉由使前述基板旋转使扩散之制程;在前述涂布液之供给前用以供给前述涂布液之溶剂蒸气到前述基板上之制程;之后,用以供给涂布液到前述基板,并将该被供给后之涂布液藉由前述基板之第1旋转速度之旋转使扩散之制程;之后,在比前述第1旋转速度更快的第2旋转速度使前述基板旋转并使前述涂布液扩散于基板全面之制程;及之后,至少将前述基板附近之大气维持于预定浓度之溶剂大气状态下,将前述基板在比第2旋转速度更慢的第3旋转速度使旋转,用以薄膜化被扩散于前述基板上的涂布液之制程。11.如申请专利范围第10项所记载之膜形成方法,系将前述基板以第2速度使旋转并使前述涂布液扩散于基板全面之制程中,但前述基板附近之大气系被维持于预定浓度之溶剂大气。12.如申请专利范围第10项所记载之膜形成方法,其中在前述涂布液之供给前的溶剂蒸气之供给,系至少被供给于前述基板之周边部。13.如申请专利范围第10项所记载之膜形成方法,其中前述涂布液系保护液。14.一种膜形成方法,系在基板上用以形成涂布液之膜,具有:在基板上之中心将被供给之涂布液,藉由使前述基板旋转使扩散之制程;在前述涂布液之供给前,将前述涂布液之溶剂供给到前述基板全面之制程;将前述基板以预定旋转速度使旋转,使被供给于基板上之前述溶剂蒸发之制程;之后,在前述基板之至少周边部再度用以供给前述涂布液之溶剂的制程;将被供给于前述基板之涂布液,藉由前述基板之第1旋转速度的旋转使扩散之制程;及之后,在比前述第1旋转速度更快的第2旋转速度使前述基板旋转并使前述涂布液扩散于基板全面之制程。15.如申请专利范围第14项所记载之膜形成方法,系将前述基板以第2旋转速度使旋转之制程后,用以供给前述涂布液之溶剂蒸气到前述基板全面之状态下,具有将前述基板以比第2旋转速度更慢的第3旋转速度使旋转用以薄膜化被扩散于前述基板上之涂布液的制程。16.如申请专利范围第14项所记载之膜形成方法,其中对前述基板全面供给前述溶剂蒸气,系将前述基板以第2速度使旋转并使前述涂布液扩散于基板全面之制程中也可进行。17.如申请专利范围第14项所记载之膜形成方法,系将前述基板以第2旋转速度使旋转之制程后,至少将前述基板附近之大气维持于预定浓度之溶剂大气的状态下,将前述基板以比第2旋转速度更慢的第3旋转速度使旋转,具有用以薄膜化被扩散于前述基板上之涂布液的制程。18.如申请专利范围第14项所记载之膜形成方法,其中前述涂布液系保护液。19.如申请专利范围第17项所记载之膜形成方法,系将前述基板以第2速度使旋转并使前述涂布液扩散于基板全面之制程中,但前述基板附近之大气系被维持于预定浓度之溶剂大气。20.一种膜形成装置,系将被供给于基板上之中心的涂布液,藉由使前述基板旋转使扩散并在基板上用以形成涂布液之膜的膜形成装置中,具有溶剂蒸气吐出板对前述基板表面之全面用以供给溶剂蒸气。21.如申请专利范围第20项所记载之膜形成装置,其中在前述溶剂蒸气吐出板,系使复数之供给口被形成,而周边部之供给口之径,系比中心部之供给口之径更大。22.如申请专利范围第20项所记载之膜形成装置,其中前述溶剂蒸气吐出板,系具有用以加热供给口之加热装置。23.如申请专利范围第20项所记载之膜形成装置,其中前述涂布液系保护液。图式简单说明:图1系显示以本实施形态被使用被组装保护层涂布装置之涂布显像处理系统之构成概略平面图。图2系图1之涂布显像处理系统的前视图。图3系图1之涂布显像处理系统的后视图。图4系以第1实施形态使用之保护层涂布装置的纵剖面说明图。图5系图4所示保护层涂布装置之横剖面说明图。图6系显示由溶剂蒸气供给喷嘴用以供给溶剂蒸气到晶圆周边部之制程说明图。图7系显示由吐出喷嘴用以供给保护液到晶圆中心部之制程说明图。图8系显示使图7中被供给之保护液扩散于晶圆全面之制程说明图。图9系显示图8中用以供给溶剂蒸气于被扩散在晶圆全面之保护液上的制程说明图。图10系以第2实施形态被使用之保护层涂布装置的纵剖面说明图。图11系以第3实施形态被使用之保护层涂布装置的纵剖面说明图。图12系图11所示之保护层涂布装置之横剖面说明图。图13系显示由溶剂吐出喷嘴用以吐出溶剂在晶圆之制程说明图。图14系显示在图13使被供给之溶剂蒸发的制程说明图。图15系显示由溶剂吐出喷嘴用以吐出溶剂在晶圆周边部之制程说明图。图16系显示由吐出喷嘴用以供给保护液在晶圆中心部之制程说明图。图17系显示在图16使被供给于晶圆上之保护液扩散之制程说明图。图18系显示由溶剂蒸气吐出喷嘴用以吐出溶剂在晶圆全面之制程说明图。图19系显示溶剂蒸气吐出板之使用状态说明图。图20系溶剂蒸气吐出板之仰视图。