| 主权项 |
1.一种用于决定晶圆上之参考点之方法,包括:从第一组及第二组刻划标记(102.110.130.140)形成合成组刻划标记(98a、98b),其中该合成组刻划标记(98a、98b)具有本质上消除结合使用于微影印刷制程内之标线片(50)之旋转误差之几何特性。2.如申请专利范围第1项之方法,其中每一个该第二组及第二组刻划标记(102.110.130.140)具有个别的质心(108.114.136.144),当印刷时该合成标记之几何特征为藉由集合该第一组及第二组刻划标记(102.110.130.140)之个别的质心(108.114.136.144)所形成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中每一个该第一组及第二组刻划标记(102.110.130.140)位于印刷在该晶圆(96)之表面层上之第一和第二邻接设计图案(54)之间。4.如申请专利范围第3项之方法,其中形成之步骤更包含印刷结合该第一印刷设计图案之该第一组刻划标记(102.130)于该晶圆(96)之表面层上,及印刷结合该第二印刷设计图案之该第二组刻划标记(110.140)于该晶圆(96)之表面层上,使得该第一及第二印刷刻划标记(102.110.130.140)组成网状以形成该合成组刻划标记(98a、98b)。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该合成组刻划标记为第一合成组刻划标记(126),该方法更包含从第三及第四组刻划标记形成第二合成组刻划标记(150)之步骤,该第二合成组刻划标记具有几何特征,该第一及第二合成组刻划标记(126.150)之几何特征个别地使用以消除标线片旋转误差。6.如申请专利范围第5项之方法,更包含基于该第一及第二合成组刻划标记(126.150)之个别的几何特征来决定虚拟参考标记(162)并且使用该虚拟参考标记(162)以促进在该晶圆(96)和标线片(50)之间之相对对准。7.一种用于促进晶圆对准之方法,包括利用标线片(50)之步骤,包含:设计面积(54);第一组刻划标记(60.62);以及相对于该设计面积(54)而对称于该第一组刻划标记之第二组刻划标记(64.66);印刷该第一及第二组刻划标记于结合第一范畴区域之晶圆之表面层上;以及印刷该第一及第二组刻划标记(60.62.64.66)于邻接该第一范畴位置之结合第二范畴区域之该晶圆(96)之表面层上,使得该第一范畴区域之第一组印刷刻划标记和该第二范畴区域之第二组印刷刻划标记形成本质上消除结合在微影印刷制程内使用之该标线片(50)之旋转误差之合成组印刷刻划标记。8.一种使用于微影制程之标线片(50),包括:设计面积(54);位于沿着该设计面积之第一边之第一组刻划标记(60.62);以及位于沿着相对于该第一边之该设计面积之第二边之第二组刻划标记(64.66),该第一及第二组刻划标记相对于该设计面积具有相关的对称性,当印刷在晶圆之邻接范畴上时,该邻接范畴之一之该第一组印刷刻划标记和该邻接范畴之另一之该第二组印刷刻划标记网状交错以形成本质上消除结合在微影印刷制程内使用之该标线片(50)之旋转误差之合成组印刷刻划标记。9.一种用于促使晶圆对准之系统,包括:标线片(50),包含:设计面积(54);位于沿着该设计面积之第一边之第一组刻划标记(60.62);以及位于沿着对称于相对于该设计面积之该第一组刻划标记之该设计面积之第二边之第二组刻划标记(64.66);用于定位印刷在晶圆之表面层上之合成组刻划标记之至少一个系统(200),该合成组刻划标记藉由集合印刷在结合第一范畴位置之晶圆表面层上之该第一组刻划标记和印刷在结合邻接该第一范畴位置之第二范畴位置之晶圆表面层上之该第二组刻划标记而形成;以及用于控制该至少一个系统(200)之一般操作之处理器(270),该处理器(270)决定该合成组印刷刻划标记(98a、98b)之几何特征,该处理器(270)利用该几何特征以促使晶圆(96)和标线片(50)之相对对准。其中该几何特征为该合成组印刷刻划标记(98a、98b)之质心。10.一种用于对准晶圆之系统,包括:用于在该晶圆表面层上定位合成组刻划标记之装置,该合成组刻划标记分别从结合第一和第二邻接范畴之印刷在该晶圆表面层上之第一和第二组刻划标记而形成,该第一和第二组印刷刻划标记具有相关的对称性使得该合成组刻划标记本质上消除标线片旋转误差;用于决定该合成组刻划标记之几何参考特征之装置,该几何参考特征为虚拟对准标记;以及使用该虚拟对准标记当参考而用于对准该晶圆之装置。图式简单说明:第1图为依据本发明之具有刻划记号之标线片之概要图示;第2图为依据本发明之由第1图之标线片所印刷之具有设计面积和刻划记号之晶圆表面层之概要图示;第3a图为来自第2图所显示之刻划记号之参考点之第一水平组划记号之放大概要图示;第3b图为来自第2图所显示之刻划记号之参考点之第二水平组刻划记号之放大概要图示;第3c图为由第3a图和第3b图之第一和第二组刻划记号所形成之合成组刻划记号之概要图式,其中标线片旋转误差造成每组刻划记号的平移;第3d图为第3c图之该合成组刻划记号之概要图式,说明依据本发明之该合成组刻划记号之参考点;第4a图为来自第2图所显示该刻划记号之参考点之第一垂直组刻划记号之放大概要图示;第4b图为来自第2图所显示该刻划记号之参考点之第二垂直组刻划记号之放大概要图示;第4c图为第4a图和第4b图之第一和第二组刻划记号所形成之合成组刻划记号之概要图式,其中标线片旋转误差造成每组刻划记号的平移;第4d图为第4c图之该合成组划记号之概要图式,说明依据本发明之该合成组刻划记号之参考点;第5图为第2图之部分放大图式,说明依据本发明之来自两组复数个刻划记号之参考点所形成之虚拟对准记号之位置;第6图为依据本发明之晶圆对准系统之代表性概要图式。 |
