| 主权项 |
1.一种晶圆之预烧测试流程,其步骤包含:提供一晶圆,该晶圆一体成型包含有复数个晶片,每一晶片具有记忆体区块、周边电路、预烧电路以及复数个电极端,其中该些电极端系经由该周边电路电性导通至该记忆体区块;进行第一次预烧,经由该预烧电路而施加电压于该复数个晶片之记忆体区块,用以同时预烧晶片之记忆体区块;进行第二次预烧,经由该些电极端而施加电压于周边电路,以预烧晶片之周边电路;及电性测试该些在晶圆上之晶片,以分辨出通过预烧试验之晶片。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆之预烧测试流程,其中第一次预烧或第二次预烧之温度系维持在100℃至150℃之间。3.如申请专利范围第1项所述之晶圆之预烧测试流程,其中第一次预烧之时间系在30秒至60秒之间。4.如申请专利范围第1项所述之晶圆之预烧测试流程,其中第二次预烧之时间系在四至六小时之间。5.如申请专利范围第1项所述之晶圆之预烧测试流程,其中在「进行第二次预烧」之步骤中,系完全接触晶片之电极端。6.如申请专利范围第1项所述之晶圆之预烧测试流程,其另包含之步骤为:雷射修补晶片,于电性测试之后。7.如申请专利范围第6项所述之晶圆之预烧测试流程,其另包含之步骤为:第二次电性测试晶片,于雷射修补之后。8.如申请专利范围第1或6项所述之晶圆之预烧测试流程,其另包含之步骤为:形成复数个凸块于该些晶片之电极端,于电性测试之后。9.如申请专利范围第1或6项所述之晶圆之预烧测试流程,其另包含之步骤为:切割该晶圆,于电性测试之后,以形成单离之晶片。10.如申请专利范围第9项所述之晶圆之预烧测试流程,其其另包含之步骤为:形成一保护层于该晶圆,在切割该晶圆之前,以供制备晶片尺寸封装结构。图式简单说明:第1图:在美国专利公告2001/0033183号「积体电路之晶圆级预烧与测试之方法与装置」中,一晶圆级预烧测试流程图;第2图:在美国专利公告2001/0033183号「积体电路之晶圆级预烧与测试之方法与装置」中,晶圆级预烧之电路连接示意图;第3图:本发明之晶圆之预烧测试流程之流程图;第4图:依本发明之晶圆之预烧测试流程,所提供晶圆之正面示意图;及第5图:依本发明之晶圆之预烧测试流程,在晶圆上其中一晶片之电路示意图。 |
