发明名称 电激发光二极体阵列之测试方法
摘要 本发明系关于一种电激发光二极体(OLED或PLED)阵列之测试方法,系以定电压或定电流源轮流通过有机电激发光二极体阵列的每一像素,并测量每一像素的阻抗值,经收集所有像素的阻抗特性资料后,再配合电脑软体予以判断,以测试阵列中的每一电激发光二极体是否正常;藉前述方法取代传统人工目视辨识方法而解决其衍生的辨识标准不一问题。
申请公布号 TW517162 申请公布日期 2003.01.11
申请号 TW090124256 申请日期 2001.10.02
申请人 永世泰科技股份有限公司 发明人 阮张荣
分类号 G01R31/01 主分类号 G01R31/01
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种电激发光二极体阵列之测试方法,系:令OLED或PLED阵列中的每一个OLED或PLED轮流通电;轮流取得每一个通电中OLED或PLED的负载特性资料,并予蒐集;根据蒐集的负载特性资料与预设的标准値比对以判断其是否正常。2.如申请专利范围第1项所述电激发光二极体阵列之测试方法,该OLED或PLED阵列中的每一OLED或PLED系透过一切换开关阵列分别与电源构成回路,前述回路又与一电脑系统连接,以便由电脑系统收集并比对每一OLED或PLED的特性资料。3.如申请专利范围第2项所述电激发光二极体阵列之测试方法,该电脑系统系预先设定标准的电压波形,再与蒐集取得的电压波形比较,以判断受测的OLED或PLED是否有短路、开路或发光不完全等状况。4.如申请专利范围第3项所述电激发光二极体阵列之测试方法,该电源系一定电压源。5.如申请专利范围第3项所述电激发光二极体阵列之测试方法,该电源系一定电流源。图式简单说明:第一图:系本发明之基本流程图。第二图A、B:系OLED或PLED之等效电路图。第三图A-E:系OLED或PLED之特性波形图。第四图:系本发明之系统示意图。第五图:系本发明之特性辨识工作流程图。
地址 台北县新庄巿五权一路一号五楼之五