发明名称 晶粒及其焊垫
摘要 本创作主要系关于一种用于晶粒之焊垫,该晶粒包含一主动表面、复数个焊垫及一隔离层,其中该主动表面包含复数个输出入端点以作为该晶粒内部及外部之电性通孔;各该焊垫分别设置于各该输出入端点上方;及该隔离层覆盖于该主动表面上,并于相对该等焊垫之位置形成复数个开窗,用以外露该复数个焊垫,其特征在于各该焊垫包含一连接区、一测试区及一分隔区,其中该连接区提供该等输出入端点之电性通路,该测试区系用以供电性测试,该分隔区系分别邻接该连接区与该测试区,用以分隔该连接区与该测试区。本创作以分隔区分隔该连接区与该测试区,其可避免先前技艺中电性测试时留下探针印而导致焊线黏接不佳之缺点,并提升产品良率。
申请公布号 TW519301 申请公布日期 2003.01.21
申请号 TW091200974 申请日期 2002.01.30
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 翁振源;徐正宗
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种晶粒,其包含:一主动表面,其包含复数个输出入端点以作为该晶粒内部及外部之电性通孔;复数个焊垫,其系分别设置于各该输出入端点上方;及一隔离层,其系覆盖于该主动表面上,并于相对该等焊垫之位置形成复数个开窗,用以外露该复数个焊垫;其特征在于各该焊垫包含一连接区、一测试区及一分隔区,其中该连接区提供该等输出入端点之电性通路,该测试区系用以供电性测试,该分隔区系分别邻接该连接区与该测试区,用以分隔该连接区与该测试区。2.根据申请专利范围第1项之晶粒,其中该焊垫具有一焊垫下凹部及一焊垫上凸部,并以一转折部连接该焊垫下凹部及该焊垫上凸部,其中该焊垫下凹部系作为该连接区,该焊垫上凸部系作为该测试区且该转折部系作为该分隔区。3.根据申请专利范围第1项之晶粒,其中该焊垫具有一焊垫下凹部及一焊垫上凸部,并以一转折部连接该焊垫下凹部及该焊垫上凸部,其中该焊垫下凹部系作为该测试区,该焊垫上凸部系作为该连接区且该转折部系作为该分隔区。4.根据申请专利范围第2或3项之晶粒,其中该晶粒之各该输出入端点相应于该焊垫下凹部具有一端点下凹部,及相应于该焊垫上凸部具有一端点上凸部,其中该端点下凹部与该端点上凸部系为分阶段沈积制造。5.根据申请专利范围第2或3项之晶粒,其中该晶粒之各该输出入端点相应于该焊垫下凹部具有一端点下凹部,及相应于该焊垫上凸部具有一端点上凸部,其中该端点下凹部系为蚀刻制成。6.根据申请专利范围第1项之晶粒,其中该隔离层相对于该焊垫之区域具有一第一开窗及一第二开窗并以一区隔部区隔该第一开窗及该第二开窗,其中该第一开窗系作为该连接区,该焊垫相应于该第二开窗系作为该测试区,且该区隔部系作为该分隔区。7.根据申请专利范围第1项之晶粒,其中该焊垫包含一凹槽,该凹槽系作为该分隔区。8.一种用于晶粒之焊垫,该晶粒包含一主动表面、复数个焊垫及一隔离层,其中该主动表面包含复数个输出入端点以作为该晶粒内部及外部之电性通孔;各该焊垫分别设置于各该输出入端点上方;及该隔离层覆盖于该主动表面上,并于相对该等焊垫之位置形成复数个开窗,用以外露该复数个焊垫;其特征在于各该焊垫包含:一连接区,用以提供该等输出入端点之电性通路;一测试区,用以供电性测试;及一分隔区,其系分别邻接该连接区与该测试区,用以分隔该连接区与该测试区。9.根据申请专利范围第8项之焊垫,其中该焊垫之材质系包含铝。10.根据申请专利范围第8项之焊垫,其中该焊垫之材质系包含铜。图式简单说明:图1a显示先前技艺之晶粒局部剖面示意图,图1b则表示先前技艺未加焊线之焊垫俯视示意图;图2a显示本创作第一实施例之晶粒局部剖面示意图,图2b则显示本创作第一实施例之焊垫俯视示意图;图3a显示本创作第二实施例之晶粒局部剖面示意图,图3b则显表示本创作第二实施例之焊垫俯视示意图;图4a显示本创作第三实施例之晶粒局部剖面示意图,图4b则显示本创作第三实施例之焊垫俯视示意图;图5a显示本创作第四实施例之晶粒局部分剖面示意图,图5b则显示本创作第四实施例之焊垫俯视示意图;及图6表显本创作晶粒局部俯视示意图。
地址 高雄市楠梓加工区经三路二十六号