| 主权项 |
1.一种同步整流转换器,其主要系可由四个MOSFET晶体元件构成交换元件,配设于变压器的一、二次侧,并透过驱动线路同步驱动及截止该各预定场效晶体,藉由场效晶体导这时之低压降的特性,使整流效率提升,并藉由四个MOSFET晶体元件构成交换元件(以下简称:Q1.Q2.Q3及Q4),以该Q1.Q2系可配设于变压器之一次侧,而Q3.Q4则可配设于变压器的二次侧构成,其中:该Q1的源极及Q2的汲极系与变压器一次侧绕组T1A一端连结,而Q1的汲极及Q2源极系分别构成电源输入端,且各透过一隔离电容与变压器一次侧绕组另端连结;该Q3.Q4的汲极分别与变压器二次侧绕组T1B及T1C一端连结,变压器T1B及T1C的另端则相连结后与一滤波电感及一滤波电容相串并接构成正输出端,而Q3.Q4的源极则连结构成负输出端;上述Q1.Q2.Q3.Q4的闸极驱动端则可分别与驱动讯号连结,而同步驱动Q1.Q2.Q3.Q4进行导通及截止作业,且令Q3之驱动讯号为Q2之反相;而Q4之驱动讯号为Q1之反向;俾藉由场效晶体导通时之低压降的特性,使整流效率提升。2.依据申请专利范围第1项所述之同步整流转换器,其主要系可由六个MOSFET晶体元件构成交换元件(以下简称:Q1.Q2.Q3.Q4.的Q5及Q6,以该Q1.Q2.Q5及Q6系可配设于变压器之一次侧,而Q3.Q4系可配设于变压器之二次侧,其中:该Q1的源极及Q2的汲极系与变压器一次侧绕组T1A一端连结,而Q5的源极及Q2汲极系与变压器一次侧绕组的另一端结;Q1及Q5的汲极端相连结构成正电源输入端,Q2及Q6的源极则相连结构成负电源输出端;该Q3.Q4的汲极分别与变压器二次侧绕组T1B及T1C一端连结变压器T1B及T1C的另端则相连结后与一滤波电感及一滤波电容相串并接构成正输出端,而Q3.Q4的源极则连结构成负输出端;该Q3.Q4的闸极驱动端则可分别与驱动讯号连结,俾驱动Q3.Q4进行导通及截止作业;上述Q1.Q2.Q3.Q4.Q5及Q6的闸极驱动端则可分别与驱动讯号连结,而同步驱动Q1.Q2.Q3.Q4.Q5及Q6进行导通及截止作业,令,Q3之驱动讯号为Q2之反相,Q4之驱动讯号为Q1之反向;俾藉由场效晶体导通时之低压降的特性,使整流效率提升。3.依据申请专利范围第1项所述之同步整流转换器,其主要系可由四个MOSFET晶体元件构成交换元件(以下简称:Q1.Q2.Q3及Q4),该Q1.Q2系可配设于变压器之一次侧,而Q3.Q4则可配设于变压器的二次侧构成,其中:该Q1及Q2的汲极系与中心抽头式变压器其一次侧之上、下绕组T1A及T1D连结,而Q1及Q2源极相连接成构成负电源输入端;变压器之一次之中心抽头则构成正电源输入端;该Q3及Q4的汲极分别与变压器二次侧绕组T1B及T1C一端连结,变压器T1B及T1C的另端则相连结后与一滤波电感及一滤波电容相串并接构成正输出端,而Q3.Q4的源极则连结构成负输出端;该上述Q1.Q2.Q3.Q4的闸极驱动端则可分别与驱动讯号连结,俾同步驱动Q1.Q2.Q3.Q4进行导通及截止作业;令,Q3之驱动讯号为Q2之反相,Q4之驱动讯号为Q1之反向;俾藉由场效晶体导通时之低压降的特性,使整流效率提升。图式简单说明:第一图 系本发明半桥式架构电路图。第二图 系第一图之各部电压波形图。第三图 系适用于A式隔离式驱动线路之变压器。第四图 系A式独立变压器(T2)驱动线路电路图。第五图 系第四图之各部电压波形图。第六图 系A式变压器(T1)耦合驱动线路电路图。第七图 系适用于B式隔离式驱动线路之变压器。第八图 系B式独立变压器驱动线路电路图。第九图 系B式变压器(TI)耦合驱动线路电路图。第十图 系第九图之各部电压波形图。第十一图系C式独立变压器驱动线路电路图。第十二图系C式变压器(T1)耦合驱动线路电路图。第十三图系D式独立变压器驱动线路电路图。第十四图系D式变压器耦合驱动线路电路图。第十五图系本发明全桥式转换器架构电路图。第十六图系第十五图之各部电压波形图。第十七图系本发明推挽式转换器架构电路图。第十八图系第十七图之各部电压波形图。 |
