半导体之表面加粗方法

摘要

本发明之目的在于提供一种可以将构成LED之半导体的表面予以加粗之简易的方法，本发明为，在半导体16之上，沈积第1材料18和第2材料20，该两种材料之特性为经过热处理之后，会不均等地彼此混合，接着将沈积好的半导体予以热处理之后，再利用反应性离子蚀刻法对其进行蚀刻处理，该反应性离子蚀刻法系对第1材料18的蚀刻速度比起对第2材料20和半导体的蚀刻速度为较缓慢。于进行此种蚀刻时，由于含有多量第1材料18之区域22系作为蚀刻罩幕来使用，故可以简单地在半导体16的表面形成所欲的粗糙性。

主权项

1.一种半导体之表面加粗方法,其特征为:在半导体的表面沈积具有经过热处理后成为混合状态不均等之性质的第1材料和第2材料;沈积有上述2种材料之半导体加以热处理;利用一种材料的蚀刻速度比起另外一种材料和半导体材料的蚀刻速度较为缓慢的蚀刻方法,对上述半导体之沈积有上述2种材料的面进行蚀刻处理者。2.如申请专利范围第1项之半导体之表面加粗方法,其中,第1材料和第2材料系利用真空蒸镀法而层状地蒸镀于半导体的表面。3.如申请专利范围第1项之半导体之表面加粗方法,其中,上述半导体系氮化镓系半导体,上述第1材料系镍(Ni),上述第2材料系金(Au),上述蚀刻方法则为反应性离子蚀刻。图式简单说明:图1(a)、(b)为于习知方法中,由发光二极体引出光之状态的说明图。图2(a)-(e)为有关本发明之半导体的表面加粗方法之步骤的说明图。图3(a)、(b)为显示进行反应性离子蚀刻之际,GaN和Ni蚀刻速度比以及GaN的表面粗度和电浆强度之关系图。