| 主权项 |
1.一种基板,在覆盖该基板上的实质透射处理层中备有一对准标记,该标记包括:–相对高反射区,用以反射一辐射对准光束的辐射,以及–相对低反射区,用以反射该对准光束较少量之辐射;其特征为:该低反射区包括散射结构,用以散射及吸收该对准光束之辐射。2.如申请专利范围第1项之基板,其中该对准标记之散射结构包括一第一光栅。3.如申请专利范围第1或2项之基板,其中该对准标记之高反射区包括一第二光栅,且该散射结构系位于该第二光栅的线条之间的空间中。4.如申请专利范围第3项之基板,其中该第一及第二光栅系一度空间形式,且其间的方向实质上互成垂直。5.如申请专利范围第4项之基板,其中该第一光栅的光栅周期系小于该第二光栅的光栅周期。6.如申请专利范围第2项之基板,其中该第一光栅的光栅周期系小于2m。7.如申请专利范围第1项之基板,其中该低反射区之反射率系介于0至10%的范围。8.如申请专利范围第1项之基板,其中该高反射区之反射率系介于50至100%的范围。9.如申请专利范围第1项之基板,其中该对准标记之高反射区系分割成数个区。10.如申请专利范围第9项之基板,其中该对准标记之高反射区包括具有线条的一第二光栅,且这些线条中至少有一线条系沿着与该线条平行的方向分割。11.如申请专利范围第9项之基板,其中该高反射区系沿着第一及第二方向被分割,二方向实质上系互相垂直,故该高反射区系显着地包括矩形的区。12.如申请专利范围第11项之基板,其中某些矩形区与其他矩形区的大小不同。13.如申请专利范围第11或12项之基板,其中该矩形区为正方形。14.如申请专利范围第9项之基板,其中该高反射区分割的区之大小与形式系实质上等于处理层中曝光的行成积体电路的特征之大小与形式15.一种包含一图案之光罩,用以曝光如申请专利范围第1项之对准标记。16.一种装置之制造方法,包括下列步骤:–在一基板台上提供包括对准标记之一基板,这些对准标记在至少部份覆盖一层辐射敏感材料的一透射层中包括高反射与低反射区;–利用一辐射对准光束来使该对准标记与一参考标记对准;–利用一辐射系统提供一辐射投影光束;–利用图案化构件赋予投影光束一图案式之断面;以及–将该图案化辐射光束投影至该层辐射敏感材料之一目标部份上,其特征为:该低反射区包括散射结构,以散射及吸收该对准光束。17.一种如申请专利范围第16项制造的装置。图式简单说明:图1显示可实施本发明之一微影投影装置;图2显示可实施本发明之一对准标记;图3显示图2中依据本发明之第一项具体实施例的对准标记之部份子光栅的俯视图;图4显示一内嵌于基板上之透射层中的对准标记的断面图;图5显示图2中依据本发明之第二项具体实施例的对准标记之部份子光栅的俯视图;以及图6显示依据本发明之第三项具体实施例的一标记之反射区的细部俯视图。 |
