存储器元件的制造方法

摘要

一种存储器元件的制造方法，其首先在所提供的基底上形成一薄介电层，并且在薄介电层上形成一长条状的导电结构，其中长条状的导电结构是由一多晶硅层以及一顶盖层所构成。接着，于长条状的导电结构两侧的基底中形成一埋入式位线。再于基底的上方形成一底部抗反射层。之后，以垂直于长条状的导电结构的方向图案化底部抗反射层与长条状的导电结构，以形成数个多晶硅岛状物。接着，于多晶硅岛状物上形成一字符线。

主权项

1、一种存储器元件的制造方法，其特征是，该方法包括下列步骤：在一基底上形成一薄介电层；在该薄介电层上形成一长条状的导电结构，其中该长条状的导电结构包括一多晶硅层以及一顶盖层；在该长条状的导电结构两侧的基底中形成一埋入式位线；在该基底的上方形成一底部抗反射层，覆盖住该长条状的导电结构以及该埋入式位线；以垂直于该长条状的导电结构的方向，图案化该底部抗反射层与该长条状的导电结构，以形成多个岛状的导电结构；在该些岛状的导电结构之间填入一绝缘层；移除该些岛状的导电结构的该顶盖层；以及在该些岛状的导电结构的该多晶硅层上形成一字符线。