| 主权项 |
1.一种半导体元件封装结构改良,系包括:一金属导线架,其具有一晶片焊垫,晶片焊垫周边设有多数引脚,晶片焊垫与引脚间及相邻引脚间形成连通的隔离间隙,于导线架底面形成与隔离间隙衔接的凹部,于隔离间隙以及衔接隔离间隙的凹部中充填隔离胶体;一胶体堤墙,系成形固着于导线架上之环形胶体;一晶片,系固设于导线架之晶片焊垫上,晶片上各I/O接点与导线架对应之引脚构成电性连接;以及一透明体,系对应固设于胶体堤墙上将晶片密封于内,而构成一半导体元件。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件封装结构改良,其中凹部设置于导线架引脚邻近晶片焊垫的内侧端底面处。3.如申请专利范围第1项所述之半导体元件封装结构改良,其中凹部设置于导线架晶片焊垫之底面外环缘处。4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件封装结构改良,其中凹部设置于引脚邻近晶片焊垫的内侧端底面处及晶片焊垫底面之外环缘处。5.如申请专利范围第1项所述之半导体元件封装结构改良,其中凹部设置于引脚邻近晶片焊垫的内侧端底面处,且导线架之晶片焊垫高于引脚。6.如申请专利范围第1.2.3.4或5项所述之半导体元件封装结构改良,其中导线架底面之凹部高度不大于导线架厚度的二分之一。7.如申请专利范围第1项所述之半导体元件封装结构改良,其中胶体堤墙外缘与导线架引脚末端平齐。8.如申请专利范围第1项所述之半导体元件封装结构改良,其中胶体堤墙外缘略小于导线架引脚长度。9.如申请专利范围第1项所述之半导体元件封装结构改良,其中导线架之隔离胶体与胶体堤墙为一体成形。10.如申请专利范围第1项所述之半导体元件封装结构改良,其中透明体为对应固设于胶体堤墙顶缘之透明盖板。11.如申请专利范围第1项所述之半导体元件封装结构改良,其中透明体为填充于胶体堤墙中的透明胶体。图式简单说明:第一图:系本创作之立体外观示意图。第二图:系本创作之剖面示意图。第三图:系本创作中具有堤墙之导线架立体外观示意图。第四图:系本创作第二种实施型态之剖面示意图。第五图:系本创作第三种实施型态之剖面示意图。第六图:系习用使用基板之半导体元件剖面示意图。 |
