发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种将利用晶圆制程形成外部连接端子之记忆晶片安装于配线基板时,或在安装后,可改变上述记忆晶片之机能的多晶片模组。本发明系准备包含电源电压配线6及接地电位配线6之配线6的图案不同之两种模组基板,在此二种模组基板上安装记忆晶片2及控制晶片3,藉而使用同一记忆晶片2实现字构成或动作模式此等机能不同的两种多晶片模组。
申请公布号 TW200305982 申请公布日期 2003.11.01
申请号 TW091133943 申请日期 2002.11.21
申请人 日立制作所股份有限公司 发明人 西本贤二;片桐光昭
分类号 H01L23/28 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本