薄膜电晶体及其制造方法

摘要

本发明关于一种薄膜电晶体及其制造方法，该薄膜电晶体系由具有一薄膜部与一厚膜部的一多晶矽膜所形成，薄膜部至少被用作该薄膜电晶体的通道部。其中，该多晶矽膜是利用雷射退火处理而得，该雷射退火处理所使用之雷射能量密度可使薄膜部完全融化而厚膜部不完全融化。该通道部是由成长于该薄膜部与该厚膜部界面的粗大晶粒所形成，因此利用知的雷射退火设备便可达到如高载子移动率、低漏电流等的效能。