| 摘要 |
一种具有一用以供应电源之驱动器电晶体的半导体记忆体装置被提供，其能减少于不启动期间的漏电流而确保对于一感应放大器于启动期间充分的电源供应能力。闸极宽度系提供在垂直于一位元线方向的每两个位元线对间距，并且一供应电压VDD与一操拷电压VSS系馈至PMOS电晶体SPO，SPO＿至SP3，SP3＿与NMOS电晶体SNO，SNO＿至SN3，SN3＿。在驱动器专用的PMOS电晶体P1，P2与NMOS电晶体Nl，N2中，闸极宽度被调整利用两个位元线对间距的长度作为一最大值，同时闸极宽度系利用一调整区域△L而调整，藉此当确保充分的电源供应能力并减少一拖尾电流(tailingcurrent)时，在有关如此与彼此相反之特性的一适当调整状态下能获得驱动器专用MOS电晶体P1，P2，N1，及N2。 |
