| 摘要 |
本发明提供一种使用两类型冗赘程式设计之冗赘记忆体线路（redundantmemoryline）控制电路，藉由以冗赘单元取代故障单元的方式，可以增进修复记忆体阵列（mnemoryarray）中的故障单元的能力。当记忆体阵列处于晶圆状态时，藉由例如切断雷射熔丝（laserfuses）的方式可以程式设计大部分或所有的冗赘记忆体线路。但是在元件封装（packaging）之后，利用例如切断电性熔丝（electricfuses）之指令，可以程式设计至少一条记忆体线路（“后段修复”，postrepair）。较佳情况是保留作为后段修复用途之冗赘记忆体线路可从那些利用雷射熔丝来程式设计之相同冗赘记忆体线路之中选择。这种方法让所有的冗赘记忆体线路若需要时可用于雷射修复，并且也让一条冗赘记忆体线路在已经测定此条冗赘记忆体线路为无故障之后被选择用于后段修复。这种方法增加元件得以修复的可能性，并且不会由于事先指定用于雷射或后段修复而浪费冗赘记忆体线路。 |
