发明名称 蚀刻导通孔之改良方法
摘要 本发明提供可减少柱状物形成之用于蚀刻基板的改良方法。根据该方法,制程中而使用之蚀刻气体的留滞时间会降低,且用于解离蚀刻气体之感应耦合电浆源的功率会增加。在蚀刻制程期间提供低偏压的RF电压。在蚀刻制程期间所使用的不同偏压水平之间连续升高RF偏压。使用感应耦合电浆限制环,以迫使感应耦合电浆源中所产生的反应性物质存在于基板表面上方。这些步骤会减少或消除蚀刻制程期间的柱状物之形成。
申请公布号 TW200400558 申请公布日期 2004.01.01
申请号 TW092107594 申请日期 2003.04.03
申请人 尤那西斯公司 发明人 大卫J 强森;罗素 威斯特曼
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 林镒珠
主权项
地址 美国
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