| 摘要 |
本发明系提供一种半导体记忆装置之相关技术，其系具备下列元件而构成：半导体基板11；闸极绝缘膜12，其系形成于该半导体基板11上；单一的闸极电极13，其系形成于该闸极绝缘膜12上；2个电荷保持部61、62，其系位于该闸极电极13侧壁的两侧；源极／汲极区域17、18，其系分别对应于该电荷保持部61、62；以及通道区域，其系配置于单一的闸极电极13下。据此，而将2个之电荷保持部61、62所担任之记忆体功能和闸极绝缘膜12所担任之电晶体动作功能予以分离，而具有充分之记忆体功能，并能使闸极绝缘膜12薄膜化，而易于控制短通道效应。此外，形成于闸极电极13的两侧之2个电荷保持部61、62，因为系以闸极电极13而予以分离，故能有效地抑制改写时之干涉情形。进而藉由适当地设定闸极电极13的电压、一方之扩散层区域17的电压、以及另一方之扩散层区域18的电压，即能选择性地将电洞或电子注入于一方之扩散层区域18侧的电荷保持部62。因此，能提供一种可进行2位元动作，且易于细微化之半导体记忆装置。 |
