| 摘要 |
本发明系一形成(PTFE)m(PI)n膜的方法及其复合物，主要是在低压环境中，提供热、电子、光、放射线、或离子为动能，解离PTFE及PA，其中藉由真空氢离子抽出使CONH键结形成c＝N亚胺键，而PTFE因其低Tg点及不耐受电浆之碰撞，而形成蒸气云飞向基板，与上述原料复合形成未固化之(PTFE)m(PI)n膜，在固体相物质基板之表面上，使不易成膜加工之(PTFE)m(PI)n，能轻易的在基板上形成膜，此未固化之膜可再经热、磁、光之能量供给而固化，己固化之膜具有优秀的物理，化学特性，可提供基板耐高温、耐高频、耐候性等机能性功能。 |
