| 主权项 |
1.一种介质充填方法,其特征在于:将在底面露出有导体层之盲孔形成为绝缘性树脂层,并于含有前述盲孔底面之内壁面,形成金属薄膜层后,前述盲孔内由于电镀充填金属而形成介质时;在该盲孔内充填有金属,通以正向电流,使阳极与阴极作周期性的反转,而在前述电流的流动方向之相反方向,通以逆向电流之PR电镀,而使前述盲孔内的金属薄膜上,形成金属皮膜后;于前述盲孔内的残余部份,由于连续送入直流电流之直流电镀而充填金属。2.一种如申请专利范围第1项记载之介质充填方法,其特征在于:由于正向电流的电流密度(Fd)与逆向的电流密度(Rd)之比(Fd/Rd)为1以下,且正向电流的通电时间(Ft),与逆向电流的通电时间(Rt)之比(Ft/Rt)为大于1的PR电镀,在盲孔内的金属薄膜上形成金属皮膜。3.一种如申请专利范围第1项或第2项记载之介质充填方法,其特征在于:盲孔的约1/2体积,由于以PR电镀形成之金属皮膜的金属充填后,在前述盲孔内的残余部份,以直流电镀充填金属。图式简单说明:第1图系说明有关本发明介质充填方法之一例的工程图。第2图系半导体装置所使用的基板之部份断面图。第3图系说明习知的介质充填方法之工程图。第4图系说明在小径化盲孔,仅以直流电镀充填金属时的状态之部份扩大断面图。第5图系说明使用于PR电镀之脉动电流的说明图。第6图系说明在小径化盲孔,仅以PR电镀充填金属时的状态之部份扩大断面图。 |
