具有表体(BULK)偏压之负充电泵

摘要

本发明揭示一种n–通道金属氧化物半导体(MOS)电晶体负电压充电泵，其中该等n–通道金属氧化物半导体(MOS)电晶体的表体(bulk)被以一方式偏压，以便防止接通该充电泵结构的互补金属氧化物半导体(CMOS)环境中所固有的寄生双极电晶体。