发明名称 合成石英玻璃之制造方法
摘要 取得半导体用热处理零件、半导体单结晶拉引用坩埚、光学用零件、石英灯、炉芯材、冶工具、洗净槽材料等中使用做为原料的高纯度合成石英玻璃。经由将含水矽胶冷冻之第一工程,将冷冻之含水矽胶解冻之第二工程,将解冻所离水之水分除去并取得矽石粒子之第三工程,则可将含水矽胶予以脱水。其次,经由将矽粒子洗净之第四工程,将洗净之矽石烧之第五工程,则可制造合成石英玻璃粉末。
申请公布号 TWI221149 申请公布日期 2004.09.21
申请号 TW089128352 申请日期 2000.12.28
申请人 渡边商行股份有限公司;旭电化工业股份有限公司 发明人 杉山邦夫;多田修一;尾见仁一;仲田忠洋;森田博;楠原昌树;渡部弘行;上原启史;三瓶桂子
分类号 C03B20/00 主分类号 C03B20/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种合成石英玻璃粉末之制造方法,其特征为包含下述步骤,第1步骤:于将水玻璃或由水玻璃中分离出硷性成分之矽石水溶液予以胶化取得含水矽胶之步骤中,使用相对于SiO2为5重量%~50ppm之过氧化氢,冷冻所得含水矽胶;第2步骤:将冷冻之含水矽胶予以解冻;第3步骤:去除解冻而离水之水分并取得矽石粒子;第4步骤:洗净矽石粒子;与第5步骤:烧洗净之矽石。2.如申请专利范围第1项之合成石英玻璃粉末之制造方法,其中于第1步骤~第4步骤之至少任一步骤中,系使用相对于SiO2为5重量%~50ppm之过氧化氢。3.如申请专利范围第1项之制造方法,其中于将供于该第1步骤之含水矽胶予以胶化前之任一阶段中,系使用相对于SiO2为5重量%~50ppm之氧化剂。4.如申请专利范围第1之制造方法,其中系加热矽石,第1加热阶段为于150℃~400℃之温度范围下保持3小时以上,第2加热阶段为于1100℃~1300℃之温度范围下保持1小时以上(但,于通过全部加热阶段之至少500℃以下之温度范围下,系于减压氛围气体下进行加热)。5.如申请专利范围第1项之制造方法,其中系加热矽石,第1加热阶段为于150℃~400℃之温度范围下保持30分钟以上后,第2加热阶段为于500℃~700℃之温度范围下保持30分钟以上,其次第3加热阶段为于1100℃~1300℃之温度范围下保持1小时以上(但,于第2加热阶段为止之期间系于减压氛围气体下进行加热)。6.一种高纯度合成石英粉之制造方法,其特征为包含下述步骤,第1步骤:将水玻璃予以脱硷处理取得矽石水溶液;第2步骤:于第1步骤所得之矽石水溶液中加入氧化剂和酸后,通人氢型阳离子交换树脂;第3步骤:将第2步骤所得之矽石水溶液予以胶化,取得矽石粒子;第4步骤:以含过氧化氢之酸之水溶液洗净胶化之矽石;第5步骤:烧洗净之矽石。7.如申请专利范围第6项之制造方法,其中系加热矽石,第1加热阶段为于150℃~400℃之温度范围下保持3小时以上,第2加热阶段为于1100℃~1300℃之温度范围下保持1小时以上(但,于通过全部加热阶段之至少500℃以下之温度范围下,系于减压氛围气体下进行加热)。8.如申请专利范围第6项之制造方法,其中系加热矽石,第1加热阶段为于150℃~400℃之温度范围下保持30分钟以上后,第2加热阶段为于500℃~700℃之温度范围下保持30分钟以上,其次第3加热阶段为于1100℃~1300℃之温度范围下保持1小时以上(但,于第2加热阶段为止之期间系于减压氛围气体下进行加热)。
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