| 摘要 |
本发明系关于一种记忆晶片制造方法及其结构，尤其系指一种可以降低制作成木并提高生产良率之记忆晶片制造方法及其结构。其制造方法包括有晶片设置步骤、铝导线打线步骤、测试步骤、封胶步骤；而本发明之结构具有一基板，基板之上、下侧设置有铜金属层、于铜金属层上依序设置有镍金属层以及金金属层，于金金属层上设置晶片，晶片及金金属层间设置有铝导线且该铝导线乃贯穿过金金属层连接至镍金属层，经由上述之方法及结构，本发明可在铝导线打线后即进行测试以提高良率，而导线采用的是铝金属，且不需在晶片上设置金球，因此可降低金金属的使用量以降低生产成本。 |
