具有高熔点金属闸极之半导体装置

摘要

一半导体装置具有一双闸极电极结构，该闸极电极具有包含已掺杂多晶矽膜、WSi2膜、WN膜以及W膜之一层状结构，形成于P通道区域中之多晶矽膜上之WSi2膜系由复数个彼此分离之WSi2粒子所组成，如此可避免掺杂于多晶矽膜中之杂质的横向扩散。