半导体元件,制造半导体元件之方法,液晶显示装置,以及制造该装置之方法

摘要

于其一知的TFT被形成以具有反锥形型式之情况下，需要一藉由曝光、显影、及微滴排出所形成之抗蚀剂遮罩，以形成一岛状半导体区。如此导致了制程之数目及材料之数目的增加。依据本发明，可简化一制程，因为在形成一源极区及一汲极区之后，一作用为通道区之部分被覆盖以一作用为一通道保护膜之绝缘膜，以形成一岛状半导体膜，而因此可藉由仅使用一金属遮罩以制造一半导体元件而不使用一抗蚀剂遮罩。