发明名称 一种等离子体刻蚀装置和干法刻蚀设备
摘要 本实用新型公开了一种等离子体刻蚀装置和干法刻蚀设备,用以通过所述等离子刻蚀装置实现对被刻蚀基板的均匀刻蚀,避免被刻蚀基板由于刻蚀不均匀而造成的不良,提高产品的质量。所述等离子体刻蚀装置,包括反应腔室、位于反应腔室内的相对而置的下部电极和上部电极,所述装置还包括:固定在所述下部电极底部的转轴、与所述转轴相连的电机,其中,所述电机位于所述反应腔室的外部,用于控制所述转轴带动所述下部电极进行转动。
申请公布号 CN205692795U 申请公布日期 2016.11.16
申请号 CN201620672052.8 申请日期 2016.06.28
申请人 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 发明人 宫奎;白明基;段献学;李贺飞
分类号 H01J37/32(2006.01)I 主分类号 H01J37/32(2006.01)I
代理机构 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人 黄志华
主权项 一种等离子体刻蚀装置,包括反应腔室、位于反应腔室内的相对而置的下部电极和上部电极,其特征在于,所述装置还包括:固定在所述下部电极底部的转轴、与所述转轴相连的电机,其中,所述电机位于所述反应腔室的外部,用于控制所述转轴带动所述下部电极进行转动。
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