| 主权项 |
1.一种资讯处理装置,其特征在于包含:半导体记忆体机构,其含有复数个非挥发性记忆单元;开关机构,其于装置之不使用期间,接通断开上述半导体记忆体机构之刷新动作用之电源供给;以及刷新控制机构,其于上述不使用期间亦时常供给电源,于上述不使用期间,将上述开关机构控制为接通,并执行上述非挥发性记忆单元之刷新动作。2.如申请专利范围第1项之资讯处理装置,其中上述刷新控制机构定期地执行以下处理:将上述开关机构控制为接通;指定上述非挥发性记忆单元之位址,执行对应于该指定位址之上述非挥发性记忆单元之刷新动作;其后执行将上述开关机构控制为断开之处理。3.如申请专利范围第1项之资讯处理装置,其中上述非挥发性记忆单元为:于储存材料使用强介电膜,藉由上述强介电膜之分极方向之不同而储存2値以上之资料的构造;或于储存材料使用磁性体膜,藉由上述磁性体膜之磁化方向之不同而储存2値以上之资料的构造;或于储存材料使用硫属化物膜,藉由上述硫属化物膜之结晶状态之不同而储存2値以上之资料的构造。4.如申请专利范围第1项之资讯处理装置,其中上述开关机构以及上述刷新控制机构内藏于含有上述半导体记忆体机构之记忆体晶片内。5.一种半导体记忆体,其特征在于包含:非挥发性记忆单元;以及讯号产生部,其按照对于电源端子之电源接通,产生对应于输入至位址端子之位址的上述非挥发性记忆单元之刷新动作之执行讯号“6.一种半导体记忆体,其特征在于包含:非挥发性记忆单元;开关机构,其接通断开上述非挥发性记忆单元之刷新动作用之电源供给;以及刷新控制机构,其于上述开关机构之断开期间亦可供给电源,于上述断开期间,将上述开关机构控制为接通,并执行上述非挥发性记忆单元之刷新动作。7.如申请专利范围第6项之半导体记忆体,其中上述刷新控制机构定期地进行以下处理:将上述开关机构控制为接通;指定上述非挥发性记忆单元之位址,执行对应于该指定位址之上述非挥发性之记忆单元的刷新动作;其后执行将上述开关机构控制为断开之处理。8.如申请专利范围第6项之半导体记忆体,其更含有:第1电源端子,其供给主电源;第2电源端子,其时常供给备份电源;以及电源感知机构,其监视来自上述第1电源端子之电源供给状态,并按照来自上述第1电源端子之电源电压成为特定以下,将执行控制讯号供至上述刷新控制机构;上述开关机构接通断开介由上述第2电源端子之上述非挥发性记忆单元之刷新动作用的电源供给;上述刷新控制机构按照自上述电源感知机构所供给之上述执行控制讯号,将上述开关机构控制为接通,并执行上述非挥发性记忆单元之刷新动作。9.如申请专利范围第5或6项之半导体记忆体,其中上述非挥发性记忆单元为:于储存材料中使用强介电膜,藉由上述强介电膜之分极方向之不同而储存2値以上之资料的构造;或于储存材料中使用磁性体膜,藉由上述磁性体膜之磁化方向之不同而储存2値以上之资料的构造;或于储存材料中使用硫属化物膜,藉由上述硫属化物膜之结晶状态之不同而储存2値以上之资料的构造。10.如申请专利范围第5或6项之半导体记忆体,其中上述非挥发性记忆单元于储存材料中使用强介电膜含有藉由上述强介电膜之分极方向之不同储存2値以上之资料的强介电电容器;且于上述刷新动作时,于来自进行刷新之记忆单元群的资料之读出动作之后,于上述记忆单元群全体中写入「1」之资料,其后进行储存于各个上述记忆单元群之资料的复原。图式简单说明:图1系本发明之第1实施形态之方块图。图2系第1实施形态之控制电路之方块图。图3系第1实施形态之电源接通刷新讯号产生电路之电路图。图4系本发明之第2实施形态之方块图。图5系第2实施形态之记忆体晶片之构成的方块图。图6系本发明之第3实施形态之方块图。图7系第3实施形态之计时器电路之方块图。图8系实施形态之时脉电路之电路图。图9系本发明之第4实施形态之方块图。图10(a)、(b)系实施形态之刷新序列之说明图。图11系强介电记忆体之单元构造之说明图。图12系强介电记忆体之分极动作之说明图。 |
