发明名称 埋入式晶片之电性连接端结构及其制法
摘要 一种埋入式晶片之电性连接端结构及其制法,主要系提供一嵌埋有晶片之电路板结构,并于其上形成一绝缘层,且使该绝缘层形成有复数开口,其中至少一开口系对应该晶片之电性连接垫位置,以外露出该电性连接垫,复于该晶片之电性连接垫上形成一金属层,并在该金属层与该绝缘层及其开口表面形成导电层,接着于该导电层上形成图案化阻层,俾使该阻层形成复数开口以外露出后续欲于其上沈积金属层之导电层部分,其中至少一阻层开口系对应至该晶片之电性连接垫位置,之后进行电镀制程以在显露于该图案化阻层之导电层上形成电镀金属层。俾得同时整合晶片之电性连接垫之导电结构制程与电路板导电线路之增层制程,藉以简化制程步骤与成本。
申请公布号 TW200534428 申请公布日期 2005.10.16
申请号 TW093110073 申请日期 2004.04.12
申请人 全懋精密科技股份有限公司 发明人 许诗滨;蔡琨辰
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 陈昭诚
主权项
地址 新竹市科学园区力行路6号